| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·相变光盘存储技术研究背景 | 第9-10页 |
| ·相变存储原理 | 第10-13页 |
| ·存储介质材料的要求 | 第13-14页 |
| ·结晶性质 | 第13页 |
| ·成分性质 | 第13页 |
| ·光学性质 | 第13-14页 |
| ·存储介质研究现状和进展 | 第14-19页 |
| ·Ge-Sb-Te系相变材料 | 第14-17页 |
| ·掺杂Ge-Sb-Te系相变材料 | 第17-19页 |
| ·相变薄膜制备技术概述 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射 | 第20页 |
| ·真空蒸发 | 第20页 |
| ·本论文研究目的及主要内容 | 第20-23页 |
| 2 薄膜制备及其分析方法 | 第23-37页 |
| ·薄膜制备方法 | 第23-27页 |
| ·磁控溅射沉积技术原理 | 第23-25页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·实验前的基片处理 | 第26-27页 |
| ·薄膜表征方法 | 第27-37页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·差热扫描量热法(DSC) | 第28-30页 |
| ·X射线能量色散(EDX) | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| ·分光光度计 | 第33-37页 |
| 3 相变存储介质Ge_2Sb_2Te_5的相结构及热学性能 | 第37-53页 |
| ·相变存储薄膜Ge_2Sb_2Te_5的制备与分析方法 | 第37-39页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第37-38页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备 | 第38页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜的表征和物性测量 | 第38-39页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜的表征结果与讨论 | 第39-51页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第39页 |
| ·薄膜的相变热力学表征 | 第39-42页 |
| ·薄膜的相结构表征 | 第42-45页 |
| ·薄膜的表面形貌表征 | 第45-47页 |
| ·薄膜的光学性能表征 | 第47-49页 |
| ·薄膜的激光辐照实验 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 沉积条件对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响 | 第53-65页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验方法 | 第53-54页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·薄膜的相表征和物性测量 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-60页 |
| ·薄膜的相变行为表征 | 第54-55页 |
| ·薄膜的表面形貌表征 | 第55-58页 |
| ·薄膜光学性能实验 | 第58-60页 |
| ·溅射气压对薄膜表面形貌及粗糙度的影响 | 第60-63页 |
| ·薄膜形貌表征与讨论 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 5 结论与展望 | 第65-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
