摘 要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 引言 | 第11-18页 |
·有源矩阵液晶显示 | 第11-13页 |
·Lechner 二极管二端有源方式 | 第13页 |
·有机二极管的研究现状 | 第13-16页 |
·聚合物二极管的研究现状 | 第13-14页 |
·并五苯二极管的研究现状 | 第14-15页 |
·C_(60)二极管的研究现状 | 第15-16页 |
·本论文的主要工作内容及目的 | 第16-18页 |
第二章 C_(60)富勒烯材料 | 第18-30页 |
·C_(60)材料的研究进展 | 第18-26页 |
·C_(60)的发现 | 第18-20页 |
·C_(60)的结构 | 第20-21页 |
·富勒烯家族 | 第21-23页 |
·C_(60)材料的研究进展 | 第23-26页 |
·C_(60)异质结二极管 | 第26-27页 |
·Nb/C_(60)/p-Si 结构 | 第26页 |
·Ti/C_(60)/n-GaAs 结构 | 第26-27页 |
·Al/C_(60)/p-GaAs 结构 | 第27页 |
·Ti/C_(60)/n-GaN 结构 | 第27页 |
·C_(60)肖特基结构二极管 | 第27-28页 |
·氧化层在金属与半导体接触中的作用 | 第28-30页 |
第三章 金属与C_(60)接触的薄膜特性 | 第30-45页 |
·制备条件介绍 | 第30-32页 |
·实验设备 | 第30-31页 |
·基片的选择与预处理 | 第31页 |
·蒸镀过程 | 第31-32页 |
·本论文所用的C_(60)材料 | 第32-33页 |
·薄膜生长过程 | 第33-35页 |
·Al/C_(60)薄膜的特性 | 第35-38页 |
·Al/C_(60)薄膜的制备 | 第35页 |
·Al/C_(60)薄膜的表面形貌分析 | 第35-37页 |
·Al/C_(60)薄膜的晶体结构分析 | 第37-38页 |
·Cu/C_(60)薄膜的特性 | 第38-42页 |
·Cu/C_(60)薄膜的制备 | 第38-39页 |
·Cu/C_(60)薄膜的表面形貌分析 | 第39-40页 |
·Cu/C_(60)薄膜的晶体结构分析 | 第40-42页 |
·Cu/C_(60)/Cu 结构的电特性分析 | 第42页 |
·讨论 | 第42-45页 |
第四章 C_(60)二极管的制备及电学特性的测量 | 第45-65页 |
·C_(60)二极管的制备 | 第45-47页 |
·实验流程 | 第45-46页 |
·关键工艺的探索 | 第46-47页 |
·不同参数对C_(60)二极管性能的影响 | 第47-54页 |
·C_(60)层厚度对二极管性能的影响 | 第48-49页 |
·退火温度对二极管性能的影响 | 第49-50页 |
·退火时间对二极管性能的影响 | 第50-52页 |
·氧化时间对二极管性能的影响 | 第52-53页 |
·衬底温度对二极管性能的影响 | 第53-54页 |
·C_(60)二极管的电学特性测试 | 第54-58页 |
·J-V 特性测试 | 第54-56页 |
·C-V 特性测试 | 第56-58页 |
·两种结构的电学特性比较 | 第58页 |
·C_(60)二极管的物理模型及参数计算 | 第58-64页 |
·J-V 特性 | 第59-61页 |
·C-V 特性 | 第61-64页 |
·影响C_(60)二极管性能的因素分析 | 第64-65页 |
第五章 Lechner 有源矩阵模式的验证 | 第65-80页 |
·二端子有源矩阵LCD | 第65-72页 |
·TFT-LCD | 第65-66页 |
·传统二端子有源矩阵LCD 工作原理 | 第66-68页 |
·几种典型的传统二端有源方式 | 第68-72页 |
·Lechner 二极管二端有源模式 | 第72-75页 |
·Lechner 二极管二端有源模式的原理 | 第73-74页 |
·采用Lechner 二极管方式的有源矩阵液晶显示模块 | 第74页 |
·研究Lechner 模式有源矩阵液晶显示的意义 | 第74-75页 |
·Lechner 有源矩阵模式的仿真 | 第75-79页 |
·采用C_(60)二极管构成的Lechner 有源矩阵模式的仿真 | 第75-78页 |
·采用1N4148 二极管构成的Lechner 有源矩阵模式的仿真 | 第78-79页 |
·讨论 | 第79-80页 |
第六章 结论 | 第80-82页 |
·论文研究总结 | 第80-81页 |
·前景展望 | 第81-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-86页 |
在学期间的研究成果 | 第86页 |