首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文

C60肖特基二极管的结构修饰及特性研究

摘 要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 引言第11-18页
   ·有源矩阵液晶显示第11-13页
   ·Lechner 二极管二端有源方式第13页
   ·有机二极管的研究现状第13-16页
     ·聚合物二极管的研究现状第13-14页
     ·并五苯二极管的研究现状第14-15页
     ·C_(60)二极管的研究现状第15-16页
   ·本论文的主要工作内容及目的第16-18页
第二章 C_(60)富勒烯材料第18-30页
   ·C_(60)材料的研究进展第18-26页
     ·C_(60)的发现第18-20页
     ·C_(60)的结构第20-21页
     ·富勒烯家族第21-23页
     ·C_(60)材料的研究进展第23-26页
   ·C_(60)异质结二极管第26-27页
     ·Nb/C_(60)/p-Si 结构第26页
     ·Ti/C_(60)/n-GaAs 结构第26-27页
     ·Al/C_(60)/p-GaAs 结构第27页
     ·Ti/C_(60)/n-GaN 结构第27页
   ·C_(60)肖特基结构二极管第27-28页
   ·氧化层在金属与半导体接触中的作用第28-30页
第三章 金属与C_(60)接触的薄膜特性第30-45页
   ·制备条件介绍第30-32页
     ·实验设备第30-31页
     ·基片的选择与预处理第31页
     ·蒸镀过程第31-32页
   ·本论文所用的C_(60)材料第32-33页
   ·薄膜生长过程第33-35页
   ·Al/C_(60)薄膜的特性第35-38页
     ·Al/C_(60)薄膜的制备第35页
     ·Al/C_(60)薄膜的表面形貌分析第35-37页
     ·Al/C_(60)薄膜的晶体结构分析第37-38页
   ·Cu/C_(60)薄膜的特性第38-42页
     ·Cu/C_(60)薄膜的制备第38-39页
     ·Cu/C_(60)薄膜的表面形貌分析第39-40页
     ·Cu/C_(60)薄膜的晶体结构分析第40-42页
     ·Cu/C_(60)/Cu 结构的电特性分析第42页
   ·讨论第42-45页
第四章 C_(60)二极管的制备及电学特性的测量第45-65页
   ·C_(60)二极管的制备第45-47页
     ·实验流程第45-46页
     ·关键工艺的探索第46-47页
   ·不同参数对C_(60)二极管性能的影响第47-54页
     ·C_(60)层厚度对二极管性能的影响第48-49页
     ·退火温度对二极管性能的影响第49-50页
     ·退火时间对二极管性能的影响第50-52页
     ·氧化时间对二极管性能的影响第52-53页
     ·衬底温度对二极管性能的影响第53-54页
   ·C_(60)二极管的电学特性测试第54-58页
     ·J-V 特性测试第54-56页
     ·C-V 特性测试第56-58页
   ·两种结构的电学特性比较第58页
   ·C_(60)二极管的物理模型及参数计算第58-64页
     ·J-V 特性第59-61页
     ·C-V 特性第61-64页
   ·影响C_(60)二极管性能的因素分析第64-65页
第五章 Lechner 有源矩阵模式的验证第65-80页
   ·二端子有源矩阵LCD第65-72页
     ·TFT-LCD第65-66页
     ·传统二端子有源矩阵LCD 工作原理第66-68页
     ·几种典型的传统二端有源方式第68-72页
   ·Lechner 二极管二端有源模式第72-75页
     ·Lechner 二极管二端有源模式的原理第73-74页
     ·采用Lechner 二极管方式的有源矩阵液晶显示模块第74页
     ·研究Lechner 模式有源矩阵液晶显示的意义第74-75页
   ·Lechner 有源矩阵模式的仿真第75-79页
     ·采用C_(60)二极管构成的Lechner 有源矩阵模式的仿真第75-78页
     ·采用1N4148 二极管构成的Lechner 有源矩阵模式的仿真第78-79页
   ·讨论第79-80页
第六章 结论第80-82页
   ·论文研究总结第80-81页
   ·前景展望第81-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-86页
在学期间的研究成果第86页

论文共86页,点击 下载论文
上一篇:论老舍作品中的京味城市文化
下一篇:J2EE在政府信息化金审工程中应用的研究与实现