摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
第一章 引言 | 第9-11页 |
第二章 半导体激光器及其管芯封装方法综述 | 第11-37页 |
·概述 | 第11页 |
·半导体激光器 | 第11-14页 |
·半导体激光器的分类 | 第14-15页 |
·电注入型半导体激光器的发展简介 | 第15-20页 |
·半导体激光器封装方法概述 | 第20-26页 |
·基于管芯层次的封装 | 第21-25页 |
·基于器件层次的封装 | 第25-26页 |
·本论文的工作背景及主要研究工作 | 第26-37页 |
第三章 有限元方法基础及其应用于半导体激光器热分析中的技巧 | 第37-59页 |
·概述 | 第37页 |
·有限元方法简介 | 第37-44页 |
·有限元方法的基本思想 | 第38-39页 |
·有限元方法的主要特点 | 第39-41页 |
·有限元方法的计算步骤 | 第41-44页 |
·有限元方法在传热分析中的应用 | 第44-49页 |
·传热学基本原理 | 第44-47页 |
·热传导 | 第45-47页 |
·热对流 | 第47页 |
·热辐射 | 第47页 |
·传热分析中的有限元法 | 第47-49页 |
·ANSYS软件在有限元热分析中的应用 | 第49-53页 |
·半导体激光器有限元分析中的一些技巧 | 第53-57页 |
·单位制问题 | 第53-54页 |
·模型搭建 | 第54-56页 |
·网格划分 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
第四章 锑化物半导体激光器的热特性分析 | 第59-92页 |
·概述 | 第59页 |
·中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器的结构 | 第59-60页 |
·锑化物半导体材料的热学参数计算 | 第60-68页 |
·热导率 | 第60-67页 |
·热容 | 第67-68页 |
·锑化物激光器的热特性分析 | 第68-91页 |
·外延结构 | 第68页 |
·器件尺寸、材料参数以及模拟参数 | 第68-71页 |
·热产生机制 | 第71页 |
·稳态热分析结果 | 第71-80页 |
·温度场分布和热流 | 第72-73页 |
·不同封装方法的比较 | 第73-77页 |
·正装厚镀金层的优化 | 第77-78页 |
·结构参数对激光器热阻的影响 | 第78-80页 |
·瞬态热分析结果 | 第80-85页 |
·激光器的单脉冲激励条件研究 | 第81-82页 |
·时间常数 | 第82-84页 |
·热量积累效应 | 第84-85页 |
·锑化物激光器热阻的测试 | 第85-86页 |
·热特性对激射光谱的影响 | 第86-91页 |
·有源区核心温度场分布 | 第86-89页 |
·有源区温差对于激射光谱的影响 | 第89-91页 |
·本章小结 | 第91-92页 |
第五章 量子级联激光器的热特性分析 | 第92-113页 |
·概述 | 第92-93页 |
·InGaAs/InAlAs量子级联激光器的结构特点 | 第93-94页 |
·量子级联激光器有源区的热导率 | 第94-99页 |
·界面热阻效应及其对量子级联激光器热特性的影响 | 第94-97页 |
·有源区热导率计算结果 | 第97-99页 |
·InGaAs/InAlAs量子级联激光器的器件结构和模拟参数 | 第99-101页 |
·InGaAs/InAlAs量子级联激光器热特性分析结果 | 第101-109页 |
·不同封装方法的热特性比较 | 第101-108页 |
·注入电流密度的影响 | 第108页 |
·包覆层和等离层材料的影响 | 第108-109页 |
·InGaAs/AlGaAsSb量子级联激光器热特性分析结果 | 第109-112页 |
·本章小结 | 第112-113页 |
第六章 总结与展望 | 第113-119页 |
·总结 | 第113-115页 |
·一些设想和建议 | 第115-119页 |
附录A 多结太阳电池宽谱抗反射涂层及低阻隧道结特性的研究 | 第119-131页 |
A.1 概述 | 第119-120页 |
A.2 InGaP/GaAs太阳电池宽谱抗反射涂层的研究 | 第120-126页 |
A.3 InGaP/GaAs串接太阳电池低阻隧道结的研究 | 第126-131页 |
附录B 测量仪器的计算机控制和GPIB编程 | 第131-136页 |
附录C 参考文献 | 第136-149页 |
附录D 发表文章目录 | 第149-151页 |
附录E 致谢 | 第151-152页 |
附录F 作者简介 | 第152-153页 |
学位论文独创性声明 | 第153页 |
学位论文使用授权声明 | 第153页 |