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中红外半导体激光器的热特性分析

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 引言第9-11页
第二章 半导体激光器及其管芯封装方法综述第11-37页
   ·概述第11页
   ·半导体激光器第11-14页
   ·半导体激光器的分类第14-15页
   ·电注入型半导体激光器的发展简介第15-20页
   ·半导体激光器封装方法概述第20-26页
     ·基于管芯层次的封装第21-25页
     ·基于器件层次的封装第25-26页
   ·本论文的工作背景及主要研究工作第26-37页
第三章 有限元方法基础及其应用于半导体激光器热分析中的技巧第37-59页
   ·概述第37页
   ·有限元方法简介第37-44页
     ·有限元方法的基本思想第38-39页
     ·有限元方法的主要特点第39-41页
     ·有限元方法的计算步骤第41-44页
   ·有限元方法在传热分析中的应用第44-49页
     ·传热学基本原理第44-47页
       ·热传导第45-47页
       ·热对流第47页
       ·热辐射第47页
     ·传热分析中的有限元法第47-49页
   ·ANSYS软件在有限元热分析中的应用第49-53页
   ·半导体激光器有限元分析中的一些技巧第53-57页
     ·单位制问题第53-54页
     ·模型搭建第54-56页
     ·网格划分第56-57页
   ·本章小结第57-59页
第四章 锑化物半导体激光器的热特性分析第59-92页
   ·概述第59页
   ·中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器的结构第59-60页
   ·锑化物半导体材料的热学参数计算第60-68页
     ·热导率第60-67页
     ·热容第67-68页
   ·锑化物激光器的热特性分析第68-91页
     ·外延结构第68页
     ·器件尺寸、材料参数以及模拟参数第68-71页
     ·热产生机制第71页
     ·稳态热分析结果第71-80页
       ·温度场分布和热流第72-73页
       ·不同封装方法的比较第73-77页
       ·正装厚镀金层的优化第77-78页
       ·结构参数对激光器热阻的影响第78-80页
     ·瞬态热分析结果第80-85页
       ·激光器的单脉冲激励条件研究第81-82页
       ·时间常数第82-84页
       ·热量积累效应第84-85页
     ·锑化物激光器热阻的测试第85-86页
     ·热特性对激射光谱的影响第86-91页
       ·有源区核心温度场分布第86-89页
       ·有源区温差对于激射光谱的影响第89-91页
   ·本章小结第91-92页
第五章 量子级联激光器的热特性分析第92-113页
   ·概述第92-93页
   ·InGaAs/InAlAs量子级联激光器的结构特点第93-94页
   ·量子级联激光器有源区的热导率第94-99页
     ·界面热阻效应及其对量子级联激光器热特性的影响第94-97页
     ·有源区热导率计算结果第97-99页
   ·InGaAs/InAlAs量子级联激光器的器件结构和模拟参数第99-101页
   ·InGaAs/InAlAs量子级联激光器热特性分析结果第101-109页
     ·不同封装方法的热特性比较第101-108页
     ·注入电流密度的影响第108页
     ·包覆层和等离层材料的影响第108-109页
   ·InGaAs/AlGaAsSb量子级联激光器热特性分析结果第109-112页
   ·本章小结第112-113页
第六章 总结与展望第113-119页
   ·总结第113-115页
   ·一些设想和建议第115-119页
附录A 多结太阳电池宽谱抗反射涂层及低阻隧道结特性的研究第119-131页
 A.1 概述第119-120页
 A.2 InGaP/GaAs太阳电池宽谱抗反射涂层的研究第120-126页
 A.3 InGaP/GaAs串接太阳电池低阻隧道结的研究第126-131页
附录B 测量仪器的计算机控制和GPIB编程第131-136页
附录C 参考文献第136-149页
附录D 发表文章目录第149-151页
附录E 致谢第151-152页
附录F 作者简介第152-153页
学位论文独创性声明第153页
学位论文使用授权声明第153页

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