摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
引言 | 第6-7页 |
1. 文献综述 | 第7-18页 |
1.1 GMI传感器 | 第7-10页 |
1.2 影响多层膜的 GMI效应的因素 | 第10-13页 |
1.2.1 磁性材料的影响 | 第10页 |
1.2.2 导电层的影响 | 第10-11页 |
1.2.3 铁磁层几何尺寸的影响 | 第11页 |
1.2.4 Cu层的宽度的变化的影响 | 第11页 |
1.2.5 绝缘层隔离的改善 | 第11-12页 |
1.2.6 工艺的影响 | 第12-13页 |
1.3 多层膜巨磁阻抗理论的计算 | 第13-18页 |
1.3.1 层状薄膜的基本理论 | 第13-16页 |
1.3.2 尺寸的影响 | 第16-18页 |
2. 样品的制备和测试方法 | 第18-24页 |
2.1 真空蒸镀 | 第18页 |
2.2 磁控溅射 | 第18-20页 |
2.3 基片的洗涤方法 | 第20页 |
2.3.1 玻璃基片的清洗过程 | 第20页 |
2.3.2 硅基片的清洗过程 | 第20页 |
2.4 振动样品磁强计 | 第20-21页 |
2.5 多层膜结构的 X射线衍射分析 | 第21-22页 |
2.6 样品的退火处理 | 第22-23页 |
2.7 薄膜厚度的测量 | 第23页 |
2.8 巨磁阻抗的测量 | 第23-24页 |
3. 实验内容 | 第24-36页 |
3.1 NIFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜的非线性 GMI效应 | 第24-30页 |
3.1.1 实验方法 | 第24页 |
3.1.2 实验结果和讨论 | 第24-30页 |
3.1.3 结论 | 第30页 |
3.2 磁性层厚度对多层膜非线性 GMI效应的影响 | 第30-36页 |
3.2.1 实验方法 | 第30-31页 |
3.2.2 实验结果和讨论 | 第31-35页 |
3.2.3 结论 | 第35-36页 |
参考文献 | 第36-38页 |
致谢 | 第38页 |