| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·电子设备与系统中的电磁兼容问题 | 第9页 |
| ·电磁干扰对电子设备与系统的危害 | 第9-10页 |
| ·屏蔽箱体开口电磁辐射的国内外研究概况 | 第10-12页 |
| ·屏蔽箱体开口电磁辐射的研究方法 | 第10-11页 |
| ·国内外数值算法的研究情况简介 | 第11-12页 |
| ·电磁场数值计算方法简介 | 第12-15页 |
| ·电磁场问题求解方法分类 | 第12-14页 |
| ·几种相关的数值方法介绍 | 第14-15页 |
| ·本文的主要研究工作内容 | 第15-17页 |
| 2 时域有限差分法原理概述 | 第17-30页 |
| ·麦克斯韦方程及其FDTD 形式 | 第17-21页 |
| ·Maxwell 方程和Yee 元胞 | 第17-19页 |
| ·Maxwell 方程在直角坐标系中的FDTD 差分格式 | 第19-21页 |
| ·数值稳定性与色散性 | 第21-25页 |
| ·Courant 稳定性条件 | 第21-23页 |
| ·数值色散对离散间隔的要求 | 第23-25页 |
| ·吸收边界条件 | 第25-30页 |
| ·吸收边界条件概述 | 第25页 |
| ·单向波方程与吸收边界 | 第25-27页 |
| ·三维Mur 吸收边界条件的FDTD 形式 | 第27-28页 |
| ·三维空间中棱边和角点的特殊考虑 | 第28-30页 |
| 3 基于零场等效源的近-远场外推 | 第30-36页 |
| ·零场等效原理 | 第30-31页 |
| ·三维时谐场的外推 | 第31-34页 |
| ·三维瞬态场的外推 | 第34-35页 |
| ·基于零场等效源近-远场外推的实施步骤 | 第35-36页 |
| 4 屏蔽箱体开口电磁辐射的建模与计算 | 第36-50页 |
| ·问题说明 | 第36-37页 |
| ·辐射激励源的设定 | 第37-41页 |
| ·激励源的类型 | 第37-38页 |
| ·电偶极子源的加入 | 第38-40页 |
| ·电偶极子源自由空间中的验证 | 第40-41页 |
| ·屏蔽箱体开口电磁辐射的仿真模型 | 第41-44页 |
| ·模型结构说明 | 第41-42页 |
| ·程序流程 | 第42-44页 |
| ·计算结果及分析 | 第44-49页 |
| ·近场的计算及分析 | 第44-47页 |
| ·远场的计算及分析 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 5 基于开口等效磁流源的时域外推 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·箱体开口电磁耦合理论 | 第50-52页 |
| ·等效磁流源的时域外推 | 第52-55页 |
| ·等效磁流源的电场积分方程 | 第52-53页 |
| ·与FDTD 相结合的外推离散过程 | 第53-54页 |
| ·实施步骤说明 | 第54-55页 |
| ·验证算例 | 第55-60页 |
| ·一面单开口算例 | 第55-58页 |
| ·一面多开口算例 | 第58-59页 |
| ·两面开口算例 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 6 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·主要工作和结论 | 第62页 |
| ·需进一步研究的问题 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 独创性声明 | 第68页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第68页 |