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掺杂或复合氧化物压敏陶瓷材料的结构及电性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪论第10-24页
 1.1 半导体陶瓷第10页
 1.2 压敏电阻器第10-18页
 1.3 TiO_2压敏材料第18-21页
 1.4 WO_3的研究状况第21-23页
 1.5 本文的工作第23-24页
2 Y 掺杂的三氧化钨陶瓷电学性质第24-37页
 2.1 引言第24页
 2.2 样品的制备与测试第24页
 2.3 显微结构分析第24-26页
 2.4 非线性伏安特性第26-27页
 2.5 晶界特性分析第27-31页
 2.6 非线性伏安特性稳定性分析第31-32页
 2.7 介电性能研究第32-35页
 2.8 本章小结第35-37页
3 SrCO_3、Nb_2O_5掺杂的TiO_2陶瓷电学特性第37-45页
 3.1 引言第37页
 3.2 样品的制备第37页
 3.3 样品的非线性伏安特性第37-38页
 3.4 样品的晶界电特性分析第38-41页
 3.5 样品伏安特性稳定性第41-42页
 3.6 介电性能分析第42-44页
 3.7 本章小结第44-45页
4 TiO_2复合Cu 陶瓷电学性能研究第45-55页
 4.1 引言第45页
 4.2 样品的制备第45页
 4.3 试验结果分析第45-48页
 4.4 TiO_2/Cu 的复阻抗特性研究第48-54页
 4.5 本章小结第54-55页
5 结论第55-57页
致谢第57-58页
参考文献第58-62页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文第62页

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