摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-24页 |
1.1 半导体陶瓷 | 第10页 |
1.2 压敏电阻器 | 第10-18页 |
1.3 TiO_2压敏材料 | 第18-21页 |
1.4 WO_3的研究状况 | 第21-23页 |
1.5 本文的工作 | 第23-24页 |
2 Y 掺杂的三氧化钨陶瓷电学性质 | 第24-37页 |
2.1 引言 | 第24页 |
2.2 样品的制备与测试 | 第24页 |
2.3 显微结构分析 | 第24-26页 |
2.4 非线性伏安特性 | 第26-27页 |
2.5 晶界特性分析 | 第27-31页 |
2.6 非线性伏安特性稳定性分析 | 第31-32页 |
2.7 介电性能研究 | 第32-35页 |
2.8 本章小结 | 第35-37页 |
3 SrCO_3、Nb_2O_5掺杂的TiO_2陶瓷电学特性 | 第37-45页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 样品的制备 | 第37页 |
3.3 样品的非线性伏安特性 | 第37-38页 |
3.4 样品的晶界电特性分析 | 第38-41页 |
3.5 样品伏安特性稳定性 | 第41-42页 |
3.6 介电性能分析 | 第42-44页 |
3.7 本章小结 | 第44-45页 |
4 TiO_2复合Cu 陶瓷电学性能研究 | 第45-55页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 样品的制备 | 第45页 |
4.3 试验结果分析 | 第45-48页 |
4.4 TiO_2/Cu 的复阻抗特性研究 | 第48-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-55页 |
5 结论 | 第55-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-62页 |
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |