负阻异质结晶体管（NDRHBT）的模拟与实验研究

第一章 绪论	第1-17页
·课题研究背景	第8-9页
·负阻器件的发展现状	第9-11页
·异质结晶体管HBT 的基本原理及发展现状	第11-16页
·本论文研究内容	第16-17页
第二章 负阻HBT器件材料制备和结构设计	第17-29页
·分子束外延生长技术	第17-19页
·超薄基区负阻HBT 的设计与工艺	第19-24页
·超薄基区HBT 材料设计	第19-20页
·超薄基区HBT 的器件结构和版图设计	第20-21页
·超薄基区HBT 的制作工艺流程	第21-23页
·腐蚀监测和合金条件的把握	第23-24页
·双基区负阻HBT 的设计与工艺	第24-29页
·双基区HBT 的材料、结构和版图设计	第25-27页
·双基区负阻HBT 的的制作工艺流程	第27-29页
第三章 超薄基区负阻HBT的模拟、测试与分析	第29-46页
·半导体器件模拟方法介绍	第29-35页
·器件模拟的意义	第29页
·器件模拟的求解过程	第29-33页
·器件模拟软件ATLAS	第33-35页
·超薄基区负阻HBT 的器件模拟及分析	第35-43页
·负阻HBT 的研究背景和原理分析	第35-38页
·基区宽度W_B的影响	第38-39页
·基区掺杂浓度N_B的影响	第39-41页
·V_B对恒压负阻特性的影响	第41-42页
·I_B对恒流负阻特性的影响	第42-43页
·超薄基区HBT 负阻机制的分析	第43-46页
·超薄基区产生负阻的物理机制	第43-45页
·对恒定电压和恒定电流两种模式负阻的解释	第45-46页
第四章 双基区负阻HBT的模拟、测试与分析	第46-57页
·硅基平面双基区晶体管的研究进展	第46-47页
·双基区负阻HBT 的器件模拟	第47-56页
·双基区负阻HBT 的基本原理分析	第48-51页
·基极电压V_B对负阻特性的影响	第51-52页
·刻槽宽度W_g对负阻特性的影响	第52-54页
·基区宽度W_B对负阻特性的影响	第54-56页
·双基区负阻HBT 负阻机制的分析	第56-57页
第五章 结束语	第57-58页
参考文献	第58-63页
发表论文和参加科研情况说明	第63-64页
附录	第64-67页
致谢	第67页