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PLD中等离子体屏蔽效应与烧蚀机理的研究

摘  要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪  论第10-22页
   ·引言第10页
   ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Depostion简称PLD)技术第10-12页
   ·PLD技术制备薄膜的实验工艺和独特优点第12-14页
   ·其它薄膜制备技术简介第14-18页
   ·PLD在功能薄膜研究中的典型应用第18-20页
   ·本文的主要研究内容第20-22页
2 脉冲激光制备薄膜的理论研究现状第22-34页
   ·引言第22页
   ·Singh-Narayan(S-N)理论模型第22-24页
   ·Zhang-Li(Z-L)理论模型第24-28页
   ·Zhang-Guan(Z-G)理论模型第28-30页
   ·激光支持的吸收波理论模型第30-34页
3 脉冲激光制备薄膜材料的烧蚀机理研究第34-46页
   ·引言第34页
   ·激光烧蚀靶材的过程及烧蚀面的位置第34-36页
   ·导热方程第36-37页
   ·关于靶材表面发生熔融前的温度分布规律第37-40页
   ·关于靶材在表面开始发生熔融后的温度分布规律第40-45页
   ·本章结论第45-46页
4 激光等离子体的屏蔽效应研究第46-57页
   ·引言第46-47页
   ·模型第47-50页
   ·以 为例计算并分析烧蚀过程中的一些变化规律第50-56页
   ·结论第56-57页
5 结论第57-59页
致  谢第59-60页
参考文献第60-65页
附录  硕士研究生期间完成论文情况第65页

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