| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| §1.1 引言 | 第6-8页 |
| §1.2 垂直腔面发射半导体激光器的研究进展及应用 | 第8-13页 |
| §1.3 本论文的研究目的和主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 VCSEL的基本理论及特性 | 第14-28页 |
| §2.1 VCSEL的基本结构 | 第14-15页 |
| §2.2 VCSEL的基本原理 | 第15-23页 |
| §2.3 VCSEL中的横向光电限制结构 | 第23-28页 |
| 第三章 氧化物限制型垂直腔面发射激光器阵列的研制 | 第28-54页 |
| §3.1 研制垂直腔面发射激光器阵列的意义 | 第28页 |
| §3.2 几种VCSEL阵列器件制作工艺的特点 | 第28-32页 |
| §3.3 阵列器件中热相互作用的研究 | 第32-37页 |
| §3.4 氧化物限制型垂直腔面发射激光器阵列的研制 | 第37-54页 |
| 第四章 氧化物限制型VCSEL特性测试 | 第54-63页 |
| §4.1 VCSEL测试装置的研制 | 第54-55页 |
| §4.2 VCSEL光场分布的测量 | 第55-60页 |
| §4.3 P-I-V特性及光谱特性 | 第60-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |