不同过饱和度下ADP晶体的生长与缺陷研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 引言 | 第5-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-13页 |
| ·ADP晶体概述 | 第7-8页 |
| ·溶液降温法生长ADP晶体 | 第8-9页 |
| ·国外研究现状 | 第9-10页 |
| ·国内研究现状 | 第10-13页 |
| 第二章 影响晶体生长和质量的因素 | 第13-23页 |
| ·pH值对晶体的影响 | 第13-14页 |
| ·杂质离子对晶体的影响 | 第14-15页 |
| ·籽晶取向对晶体生长的影响 | 第15-17页 |
| ·过饱和度对晶体的影响 | 第17-23页 |
| 第三章 过饱和度的理论计算 | 第23-28页 |
| ·过饱和度的宏观计算方式 | 第23-25页 |
| ·临界过饱和度的微观计算方式 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第四章 不同过饱和度下ADP晶体的生长 | 第28-38页 |
| ·溶液的配制和处理 | 第28页 |
| ·籽晶的准备 | 第28-29页 |
| ·过饱和度的实验测定 | 第29页 |
| ·不同过饱和度下ADP的生长 | 第29-32页 |
| ·晶体生长现象 | 第32-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 第五章 ADP晶体的质量分析 | 第38-48页 |
| ·化学腐蚀法分析晶体位错缺陷 | 第38-40页 |
| ·等离子体发射光谱 | 第40-41页 |
| ·同步辐射X射线形貌术 | 第41-45页 |
| ·热分析 | 第45-46页 |
| ·透过率 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
