厚胶光刻技术研究
| 摘要 | 第1-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-22页 |
| §1.1 厚层抗蚀剂光刻术发展概况 | 第9-15页 |
| §1.1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.1.2 厚层抗蚀剂光刻术 | 第10-14页 |
| §1.1.2.1 曝光方式 | 第10-11页 |
| §1.1.2.2 曝光源 | 第11-12页 |
| §1.1.2.3 抗蚀剂 | 第12-13页 |
| §1.1.2.4 甩胶工艺 | 第13页 |
| §1.1.2.5 烘烤工艺 | 第13页 |
| §1.1.2.6 显影工艺 | 第13-14页 |
| §1.1.3 厚层抗蚀剂光术的应用 | 第14-15页 |
| §1.1.4 厚胶光刻技术的发展趋势 | 第15页 |
| §1.2 光刻过程的模拟 | 第15-16页 |
| §1.3 本课题研究的目的和意义 | 第16-17页 |
| §1.4 本文的主要内容 | 第17-22页 |
| 第二章 厚层抗蚀剂曝光场分布 | 第22-42页 |
| §2.1 引言 | 第22页 |
| §2.2 基尔霍夫标量衍射理论 | 第22-24页 |
| §2.3 厚胶光刻的空间像 | 第24-27页 |
| §2.4 抗蚀剂内部光场分布的计算 | 第27-39页 |
| §2.4.1 抗蚀剂曝光动力学原理 | 第27-29页 |
| §2.4.2 厚层抗蚀剂内部光场分布的模拟计算 | 第29-39页 |
| §2.4.2.1 抗蚀剂内光场分布的模拟计算方法 | 第29-30页 |
| §2.4.2.2 平面波的角谱理论 | 第30-32页 |
| §2.4.2.3 抗蚀剂内部光场分析 | 第32-34页 |
| §2.4.2.4 数值计算的快速实现 | 第34-39页 |
| §2.5 本章小结 | 第39-42页 |
| 第三章 正性厚层抗蚀剂曝光模型 | 第42-76页 |
| §3.1 引言 | 第42页 |
| §3.2 前烘方法和前烘模型 | 第42-46页 |
| §3.2.1 烘箱烘烤 | 第43页 |
| §3.2.2 热板烘烤 | 第43-44页 |
| §3.2.3 红外线烘烤 | 第44-45页 |
| §3.2.4 前烘模型 | 第45-46页 |
| §3.3 厚层抗蚀剂曝光模型 | 第46-51页 |
| §3.3.1 Dill曝光模型 | 第46-48页 |
| §3.3.2 厚抗蚀剂曝光模型 | 第48-51页 |
| §3.4 厚层光刻胶曝光参数的测量及分析 | 第51-72页 |
| §3.4.1 曝光参数的测量方法及误差分析 | 第51-54页 |
| §3.4.2 曝光参数的测量实验装置和步骤 | 第54-56页 |
| §3.4.3 实验测量透过率曲线及其校正 | 第56-59页 |
| §3.4.4 曝光参数的提取 | 第59-66页 |
| §3.4.4.1 膜系中光传输的矩阵表示 | 第60-62页 |
| §3.4.4.2 膜系内的光场分布和透射率的计算 | 第62-63页 |
| §3.4.4.3 厚层抗蚀剂曝光参数的提取 | 第63-66页 |
| §3.4.5 趋势面分析统计方法对曝光参数的分析 | 第66-72页 |
| §3.5 本章小结 | 第72-76页 |
| 第四章 厚层抗蚀剂光刻特性模拟分析 | 第76-90页 |
| §4.1 引言 | 第76-77页 |
| §4.2 厚层抗蚀剂显影模型 | 第77-78页 |
| §4.3 厚抗蚀剂光刻图形潜像分析 | 第78-84页 |
| §4.4 厚层抗蚀剂显影轮廓分析 | 第84-88页 |
| §4.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 总结 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 附录一 攻硕期间发表的论文 | 第92-93页 |
| 附录二 参加的科研项目和获得奖励 | 第93-94页 |
| 附录三 厚抗蚀剂光刻模拟软件说明 | 第94-96页 |
| 声明 | 第96页 |
