| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 半导体纳米材料研究进展 | 第7-23页 |
| ·半导体纳米粒子的研究进展 | 第7-11页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·基本特性 | 第7-9页 |
| ·量子尺寸效应 | 第7-8页 |
| ·表面效应 | 第8-9页 |
| ·半导体纳米材料的性质 | 第9-10页 |
| ·半导体纳米粒子的制备方法 | 第10-11页 |
| ·半导体硫化锌材料研究进展 | 第11-15页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·ZnS的晶体结构 | 第11-13页 |
| ·应用前景 | 第13页 |
| ·制备方法 | 第13-15页 |
| ·模板法制备半导体纳米复合材料 | 第15-19页 |
| ·概述 | 第15页 |
| ·模板法的提出 | 第15-16页 |
| ·高分子模板法制备半导体纳米粒子 | 第16-19页 |
| ·课题的提出 | 第19-21页 |
| ·选题背景 | 第19页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| ·研究意义 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 魔芋葡甘露聚糖的提纯及性能研究 | 第23-34页 |
| ·序言 | 第23-24页 |
| ·纯化方法的提出 | 第24-25页 |
| ·提取路线的设计 | 第25-26页 |
| ·主要试剂及原料 | 第25页 |
| ·主要仪器 | 第25页 |
| ·提取过程的设计 | 第25-26页 |
| ·实验条件的优化 | 第26-28页 |
| ·温度对提取结果的影响 | 第26-27页 |
| ·实验过程 | 第26页 |
| ·实验结果 | 第26-27页 |
| ·溶胀所用水量对实验结果的影响 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第27页 |
| ·实验结果 | 第27-28页 |
| ·结果及讨论 | 第28-32页 |
| ·干燥方式对产品性状的影响 | 第28-29页 |
| ·魔芋粗粉与纯品KGM水溶胶性能比较 | 第29页 |
| ·KGM粉末良溶剂的探寻 | 第29-30页 |
| ·KGM的红外谱图分析 | 第30-31页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第30页 |
| ·IR谱图 | 第30-31页 |
| ·KGM的X-射线衍射分析 | 第31页 |
| ·KGM的TGA和DSC谱图 | 第31-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 乙酸酐对魔芋葡甘聚糖的改性研究及取代度的测定 | 第34-58页 |
| ·序言 | 第34-35页 |
| ·实验部分 | 第35-40页 |
| ·主要试剂及原料 | 第35页 |
| ·主要使用仪器 | 第35页 |
| ·实验过程 | 第35-36页 |
| ·乙酸酐的精制 | 第35页 |
| ·魔芋精粉的纯化 | 第35-36页 |
| ·乙酸酐对KGM的改性实验 | 第36页 |
| ·取代度的测定 | 第36-40页 |
| ·反应方程式 | 第36-37页 |
| ·取代度的定义及计算公式的推导 | 第37-38页 |
| ·酸碱滴定法计算酯化产品中乙酰％ | 第38-40页 |
| ·酸碱滴定过程 | 第38页 |
| ·滴定参数的定义 | 第38-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-50页 |
| ·皂化时间的选择 | 第40-41页 |
| ·KGM中的乙酰％ | 第41页 |
| ·乙酸酐改性KGM产品的乙酰含量及取代度测定 | 第41-43页 |
| ·不同取代度KGM-乙酸酯产品的性能分析 | 第43-50页 |
| ·TGA分析 | 第43-46页 |
| ·IR谱图分析 | 第46-50页 |
| ·IR谱图分析 | 第46-48页 |
| ·红外谱图定性表示取代度的大小 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 附图 | 第52-58页 |
| 第四章 ZnS/KGM-乙酸酯复合材料的制备及性能表征 | 第58-79页 |
| ·序言 | 第58-59页 |
| ·实验部分 | 第59-65页 |
| ·原料 | 第59页 |
| ·仪器 | 第59页 |
| ·实验过程 | 第59-63页 |
| ·ZnS纳米粒子的合成 | 第60-61页 |
| ·反应机理 | 第61-63页 |
| ·ICP-ACE法测反应中实际生成的Zn~(2+)的量 | 第63-65页 |
| ·ZnS/魔芋葡甘露聚糖复合纳米材料的表征 | 第65-76页 |
| ·Far-0R | 第65-67页 |
| ·X-射线衍射 | 第67-70页 |
| ·TEM分析 | 第70-74页 |
| ·ZnS纳米微粒的激发光谱和发射光谱的测试 | 第74-76页 |
| ·小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第五章 ZnS/改性葡甘聚糖复合纳米材料的光限幅效应 | 第79-94页 |
| ·前言 | 第79页 |
| ·光限幅参数和光限幅机理 | 第79-82页 |
| ·光限幅参数 | 第80页 |
| ·光限幅机理 | 第80-82页 |
| ·ZnS/改性葡甘聚糖复合纳米材料的光限幅特性 | 第82-91页 |
| ·半导体材料的光限幅性 | 第82-83页 |
| ·光限幅实验装置的建立 | 第83-84页 |
| ·ZnS/改性葡甘聚糖复合纳米材料的光限幅效应 | 第84-90页 |
| ·体系D的光限幅效应 | 第84-88页 |
| ·不同体系样品的光限幅性能 | 第88-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90页 |
| ·光限幅机制分析 | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 结论 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
