| 第一章 文献综述 | 第1-25页 |
| 1 场发射显示器概况 | 第9-14页 |
| ·场发射器介绍 | 第9-10页 |
| ·FED 粉体的要求 | 第10-11页 |
| ·低压FED 粉体的挑战 | 第11-14页 |
| 2 荧光材料的基本知识的介绍 | 第14-22页 |
| ·基本概念 | 第14-17页 |
| ·Eu~(3+),Tb~(3+),Bi~(3+)的能级结构 | 第17-22页 |
| 3 本文研究的主要内容及其研究意义 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 Y_2O_3—GeO_2二元体系基质的合成与荧光粉性能的研究 | 第25-46页 |
| 1 Y_2O_3-GeO_3二元体系固相线下相图的确定和基质的合成 | 第25-27页 |
| ·物相的制备 | 第25页 |
| ·物相的分析 | 第25-26页 |
| ·Y_4GeO_8相分析 | 第26-27页 |
| 2 Y_2Ge_2O_7荧光粉的合成及性能的测试 | 第27-38页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Eu~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第29-30页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Eu~(3+)荧光粉阴极射线发光性能测试 | 第30-33页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Tb~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第33-34页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Tb~(3+)荧光粉阴极射线发光性能测试 | 第34-36页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Bi~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第36-38页 |
| ·Y_2Ge_2O_7:Bi~(3+)荧光粉阴极射线发光性能测试 | 第38页 |
| 3 Y_2GeO_5荧光粉的合成及性能的测试 | 第38-41页 |
| ·Y_2GeO_5:Eu~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第38-39页 |
| ·Y_2GeO_5:Tb~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第39-40页 |
| ·Y_2GeO_5:Tb~(3+)荧光粉阴极射线性能测试 | 第40-41页 |
| ·Y_2GeO_5:Bi~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第41页 |
| 4 Y_4GeO_8荧光粉的合成及性能的测试 | 第41-44页 |
| ·Y_4GeO_8:Eu~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第41-42页 |
| ·Y_4GeO_8:Tb~(3+)荧光粉性能测试 | 第42-43页 |
| ·Y_4GeO_8:Bi~(3+)荧光粉性能测试 | 第43-44页 |
| 5 小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 Gd_2O3-GeO_2二元体系基质的合成与荧光粉性能的研究 | 第46-59页 |
| 1 实验过程 | 第46页 |
| 2 Gd_2O3-GeO_2二元体系固相线下相图的确定和结构描述 | 第46-49页 |
| ·Gd_2GeO_5 | 第46页 |
| ·Gd_2Ge2O_7 | 第46-48页 |
| ·Gd_4GeO_8 | 第48-49页 |
| §3 Gd_2Ge2O_7荧光粉的合成及性能的测试 | 第49-53页 |
| ·Gd_2Ge20_7:Eu~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第49-52页 |
| ·Gd_2Ge20_7:Tb~(3+)荧光粉性能测试 | 第52页 |
| ·Gd_2Ge20_7:Bi~(3+)荧光粉性能测试 | 第52-53页 |
| §4 Gd_2GeO_5荧光粉的合成及性能的测试 | 第53-58页 |
| ·Gd_2GeO_5:Eu~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第54-55页 |
| ·Gd_2GeO_5:Tb~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第55-56页 |
| ·Gd_2GeO_5:Tb~(3+)荧光粉阴极射线发光性能测试 | 第56页 |
| ·Gd_2GeO_5:Bi~(3+)荧光粉光致发光性能测试 | 第56-58页 |
| ·Gd_2GeO_5:Bi~(3+)荧光粉阴极射线发光性能测试 | 第58页 |
| §5 小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 R3Ga06(R为稀土元素)及其荧光性能 | 第59-73页 |
| 1 引言 | 第59页 |
| 2 实验过程 | 第59-60页 |
| 3 物相分析与讨论 | 第60-64页 |
| ·R3_GaO_6物相分析 | 第60页 |
| ·R_3GaO_6结构描述 | 第60-63页 |
| ·晶胞参数与R~(3+)的关系 | 第63页 |
| ·(Y_(1-x)Eu_x)_3GaO_6, (Y_(1-x)Tb_x)3_GaO_6, (Gd_(1-x)Eu_x)3_GaO_6, (Gd_(1-x)Tb_x)3_GaO_6固溶体 | 第63-64页 |
| §4 Y_3GaO_6:Eu和Gd_3GaO_6:Eu的荧光性能 | 第64-67页 |
| ·激发光谱和发射光谱 | 第64-65页 |
| ·光致发光强度变化规律 | 第65页 |
| ·阴极射线发光性能 | 第65-67页 |
| §5 Y_3GaO_6:Tb和Gd3GaO_6:Tb的荧光性能 | 第67-69页 |
| ·激发光谱和发射光谱 | 第67页 |
| ·光致发光强度变化规律 | 第67-69页 |
| ·阴极射线发光性能 | 第69页 |
| §6 Y_3GaO_6:Bi和Gd_3GaO_6:Bi的荧光性能 | 第69-71页 |
| ·激发光谱和发射光谱 | 第70页 |
| ·光致发光强度变化规律 | 第70页 |
| ·阴极射线发光性能 | 第70-71页 |
| §7 小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 Gd_3Ga_5O_(12):Eu~(3+) 、Tb~(3+)、Bi~(3+)荧光粉性能 | 第73-85页 |
| 1 引言 | 第73页 |
| 2 Gd_3Ga_5O_(12)晶体结构描述 | 第73-76页 |
| 3 (Gd_(1-x)Eu_x)_3Ga_5O_(12)、(Gd_(1-x)Tb_x)_3Ga_5O_(12)和(Gd_(1-x)Al_x)_3Ga_5O_(12)固溶区 | 第76-77页 |
| 4 (Gd_(1-x)Eu_x)_3Ga_5O_(12)的发光性能 | 第77-79页 |
| ·激发光谱和发射光谱 | 第77页 |
| ·光致发光强度随激活剂浓度的变化 | 第77-79页 |
| ·阴极射线激发发光强度随激活剂浓度的变化 | 第79页 |
| §5 Gd_3(Ga_(1-x)Al_x)_5O_(12):Tb的发光性能 | 第79-82页 |
| ·(Gd_(1-x)Tb_x)_3Ga_5O_(12)的发光性能 | 第79-81页 |
| ·(Gd_(0.95)Tb_(0.05))_3(Ga_(1-x)Al_x)_5O_(12)的发光性能 | 第81-82页 |
| §6 (Gd_(1-x)Bi_x)_3Ga_5O_(12)的发光性能 | 第82-83页 |
| ·发射光谱与激发光谱 | 第82页 |
| ·发光强度随Bi~(3+)含量变化关系 | 第82-83页 |
| §7 小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第六章 La_2O_3-Ga_2O_3体系的发光性能 | 第85-94页 |
| §1 引言 | 第85页 |
| §2 实验过程 | 第85页 |
| §3 LaGaO_3和La_4Ga_2O_9的晶体结构描述 | 第85-89页 |
| ·LaGaO_3的晶体结构描述 | 第85-87页 |
| ·La_4Ga_2O_9的晶体结构描述 | 第87-89页 |
| §4 LaGaO_3的荧光特性 | 第89-91页 |
| ·(La_(1-x)Eu_x)GaO_3的发光性能 | 第89页 |
| ·(La_(1-x)Tb_x)GaO_3的发光性能 | 第89-91页 |
| §5 La_4Ga_2O_9的荧光特性 | 第91-93页 |
| ·(La_(1-x)Eu_x)_4Ga_2O_9的发光性能 | 第91页 |
| ·(La_(1-x)Tb_x)_4Ga_2O_9的发光性能 | 第91-93页 |
| §6 小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第七章 钛酸稀土体系的发光性能 | 第94-105页 |
| §1 引言 | 第94页 |
| §2 实验过程 | 第94页 |
| §3 物相分析与结构描述 | 第94-99页 |
| ·Y_2Ti_2O_7与Gd_2Ti_2O_7 | 第94-95页 |
| ·Gd_2TiO_5与Y_2TiO_5 | 第95-99页 |
| §4 Gd_2TiO_5的发光性能 | 第99-101页 |
| ·Gd_2TiO_5:Eu~(3+) | 第99页 |
| ·Gd_2TiO_5:Bi~(3+) | 第99-101页 |
| §5 Gd_2Ti_2O_7的发光性能 | 第101页 |
| §6 Y_2Ti_2O_7的发光性能 | 第101-104页 |
| §7 小结 | 第104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 第八章 镓酸碱土体系化合物的发光性能 | 第105-118页 |
| §1 引言 | 第105页 |
| §2 实验过程 | 第105页 |
| §3 物相与结构分析 | 第105-111页 |
| ·Sr_4Ga_2O_7 | 第105-106页 |
| ·SrGa_2O_4 | 第106-108页 |
| ·BaGa_2O_4 | 第108-109页 |
| ·CaGa_2O_4 | 第109-110页 |
| ·SrGa_(12)O_(19) | 第110-111页 |
| §4 MGa204:Eu~(3+)(M=Ba, Sr, Ca) | 第111-113页 |
| ·BaGa_2O_4:Eu~(3+) | 第111-112页 |
| ·SrGa_2O_4:Eu~(3+)和CaGa_2O_4:Eu~(3+) | 第112-113页 |
| §5 MGa_2O_4:Tb~(3+)(M=Ba, Sr)和SrGa_(12)O_(19):Tb~(3+) | 第113-116页 |
| §6 BaGa_2O_4:Bi~(3+)和SrGa_(12)O_(19):Bi~(3+) | 第116页 |
| §7 CaGa_2O_4:Mn~(2+) | 第116页 |
| §8 小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 第九章 晶体结构、缺陷与发光效率的初探 | 第118-139页 |
| §1 能带宽度 | 第118-119页 |
| §2 实验过程 | 第119-120页 |
| §3 吸收光谱与能带宽度 | 第120-123页 |
| §4 元素种类与基质的能带宽度的关系 | 第123-125页 |
| ·Al、Ga 元素对基质的能带宽度影响 | 第123页 |
| ·Si、Ge 元素对基质的能带宽度影响 | 第123-124页 |
| ·O、S 元素对基质的能带宽度影响 | 第124-125页 |
| ·同族元素对能带宽度的影响 | 第125页 |
| §5 分子结构与能带宽度的关系 | 第125-127页 |
| ·La_2O_3-Ga_2O_3体系 | 第125页 |
| ·Gd_2O_3(Y_2O_3)-TiO_2体系 | 第125-126页 |
| ·MO-Ga_2O_3体系(M=Ca, Sr, Ba) | 第126页 |
| ·Y_2O_3(Gd_2O_3)-Ga_2O_3体系 | 第126页 |
| ·Y_2O_3(Gd_2O_3)-GeO_2体系 | 第126页 |
| ·Ga-O 八面体与Ga-O 四面体对能带宽度的影响 | 第126页 |
| ·选择能带宽度较低基质的一般规律 | 第126-127页 |
| §6 能带宽度对发光效率的影响 | 第127-132页 |
| ·稀土离子4f 能级和激发态5d 能级的位置 | 第127-129页 |
| ·能带宽度对Ce~(3+)作激活剂的荧光粉的发光效率的影响 | 第129-131页 |
| ·能带宽度对Tb~(3+)作激活剂的荧光粉的发光效率的影响 | 第131页 |
| ·能带宽度对Eu~(3+)作激活剂的荧光粉的发光效率的影响 | 第131页 |
| ·能带宽度对Bi~(3+)作激活剂的荧光粉的发光效率的影响 | 第131-132页 |
| §7 能带宽度对电导率的影响 | 第132-135页 |
| ·理想陶瓷的交流阻抗谱 | 第132-133页 |
| ·能带宽度对基体的导电率影响 | 第133-135页 |
| §8 小结 | 第135页 |
| 参考文献 | 第135-139页 |
| 第十章 全文总结 | 第139-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 发表论文 | 第143页 |
