| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-21页 |
| 1．1 多晶硅薄膜的应用 | 第8-10页 |
| 1．1．1 多晶硅薄膜在电子器件中的应用 | 第8页 |
| 1．1．2 多晶硅薄膜在太阳电池中的应用 | 第8-10页 |
| 1．2 多晶薄膜的结构特点和性能 | 第10-12页 |
| 1．2．1 多晶硅薄膜的结构特点 | 第10-12页 |
| 1．2．2 多晶硅薄膜的光电性能 | 第12页 |
| 1．3 多晶硅薄膜的低温制备技术综述 | 第12-17页 |
| 1．3．1 多晶硅薄膜应用于民用太阳电池所需要解决的问题 | 第12-13页 |
| 1．3．2 低温下制备高质量的多晶硅薄膜的方法 | 第13-17页 |
| 1．4 本研究所采取的方法及其意义 | 第17-21页 |
| 第二章 SiCl_4/H_2的反应机理 | 第21-28页 |
| 2．1 氢高温还原SiCl4的化学反应机理 | 第21-22页 |
| 2．2 SiCl4/H2辉光放电的空间等离子体过程 | 第22-24页 |
| 2．3 PECVD法薄膜的沉积过程 | 第24-26页 |
| 2．3．1 一般的PECVD法薄膜的沉积过程 | 第24页 |
| 2．3．2 SiCl_4/H_2混合气体的PECVD法沉积薄膜 | 第24-26页 |
| 2．4 结论 | 第26-28页 |
| 第三章 PECVD法低温沉积硅薄膜 | 第28-32页 |
| 3．1 实验室所用的PECVD系统描述 | 第28-29页 |
| 3．2 实验过程描述 | 第29-30页 |
| 3．3 工作功率与沉积速度的关系 | 第30-32页 |
| 第四章 样品薄膜的结构和成分分析 | 第32-49页 |
| 4．1 样品的结构分析 | 第32-44页 |
| 4．1．1 薄膜的Raman光谱分析 | 第32-40页 |
| 4．1．2 从X射线衍射光谱（XRD）估计晶粒大小 | 第40-41页 |
| 4．1．3 样品薄膜的表面形貌 | 第41-44页 |
| 4．2 样品的成分分析 | 第44-49页 |
| 4．2．1 X光发射谱（XES）分析 | 第44-45页 |
| 4．2．2 红外吸收光谱分析（IR） | 第45-47页 |
| 4．2．3 结论 | 第47-49页 |
| 第五章 薄膜的光电性能分析 | 第49-54页 |
| 5．1 薄膜的电学性能 | 第49-51页 |
| 5．1．1 薄膜的稳态光、暗电导率 | 第49-50页 |
| 5．1．2 薄膜的光照稳定性测量 | 第50-51页 |
| 5．2 薄膜在可见光范围的吸收性能 | 第51-54页 |
| 第六章 薄膜沉积机制分析 | 第54-61页 |
| 6．1 Cl元素在低温沉积多晶硅薄膜中的作用 | 第54-56页 |
| 6．2 多晶硅薄膜的低温沉积模型 | 第56-61页 |
| 6．2．1 空间气相反应促进薄膜的低温晶化 | 第56-58页 |
| 6．2．2 空间气相反应过程 | 第58-61页 |
| 第七章 结论 | 第61-62页 |
| 第八章 后记 | 第62页 |
