| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 文献综述 | 第14-33页 |
| ·高温结构材料的研究背景 | 第14-15页 |
| ·MoSi_2的晶体结构和基本特性 | 第15-17页 |
| ·MoSi_2基材料的强韧化研究进展 | 第17-22页 |
| ·MoSi_2的合金化 | 第17-18页 |
| ·MoSi_2的复合化 | 第18-21页 |
| ·复合协同效应 | 第21-22页 |
| ·MoSi_2基复合材料的制备技术 | 第22-29页 |
| ·热压烧结 | 第22-23页 |
| ·热等静压烧结 | 第23页 |
| ·放热弥散法 | 第23页 |
| ·放电等离子烧结 | 第23-24页 |
| ·微波烧结 | 第24-25页 |
| ·机械合金化 | 第25页 |
| ·自蔓延高温合成 | 第25-26页 |
| ·场激活加压燃烧合成 | 第26-27页 |
| ·先驱体转化法 | 第27页 |
| ·反应浸渗 | 第27页 |
| ·粉末注射成形法 | 第27-29页 |
| ·MoSi_2及其复合材料的应用 | 第29-32页 |
| ·发热元件材料 | 第29页 |
| ·高温结构材料 | 第29-30页 |
| ·高温抗氧化涂层 | 第30-31页 |
| ·机车活塞方面的应用 | 第31页 |
| ·集成电路薄膜 | 第31页 |
| ·其它应用 | 第31-32页 |
| ·本文的研究目的和研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 MoSi_2、WSi_2和(Mo,W)Si_2的价电子结构及其性能分析 | 第33-54页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·固体与分子经验电子理论 | 第33-39页 |
| ·EET理论的基本概念 | 第33-34页 |
| ·EET 理论的四个基本假设 | 第34-35页 |
| ·键距差法(BLD法) | 第35-39页 |
| ·键能和熔点的计算 | 第39-41页 |
| ·同种原子共价键键能的计算 | 第39页 |
| ·异种原子共价键键能的计算 | 第39-40页 |
| ·熔点的计算 | 第40-41页 |
| ·过渡金属化合物晶体结合能计算 | 第41-42页 |
| ·过渡金属化合物晶体结合能的实验值 | 第41页 |
| ·过渡金属化合物晶体结合能理论值计算 | 第41-42页 |
| ·MoSi_2和WSi_2的价电子结构计算 | 第42-47页 |
| ·MoSi_2和WSi_2的晶体结构 | 第42页 |
| ·实验键距 | 第42页 |
| ·等同键数 | 第42-43页 |
| ·理论键距方程 | 第43-44页 |
| ·r_α方程 | 第44页 |
| ·理论键距计算 | 第44页 |
| ·求解与多重解的处理 | 第44-45页 |
| ·MoSi_2和WSi_2价电子结构计算结果 | 第45-47页 |
| ·(Mo,W)Si_2的价电子结构计算 | 第47-50页 |
| ·平均原子模型 | 第47页 |
| ·计算模型 | 第47-49页 |
| ·计算结果 | 第49-50页 |
| ·讨论 | 第50-52页 |
| ·熔点与价电子结构的关系 | 第50页 |
| ·硬度与价电子结构的关系 | 第50-51页 |
| ·固溶体强度与价电子结构的关系 | 第51页 |
| ·晶格电子与电阻率和塑性的关系 | 第51-52页 |
| ·脆性与价电子结构的关系 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 (Mo,W)Si_2复合材料热爆合成和热压致密化研究 | 第54-76页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·热爆合成(Mo,W)Si_2复合粉末 | 第55-67页 |
| ·热力学计算理论基础 | 第55-57页 |
| ·Mo-W-Si体系的热力学计算 | 第57-61页 |
| ·实验方法 | 第61-62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第62-67页 |
| ·(Mo,W)Si_2复合粉末的热压烧结致密化及性能研究 | 第67-74页 |
| ·实验方法 | 第68-69页 |
| ·实验结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 先驱体转化法制备纳米SiC-(Mo,W)Si_2复合粉末 | 第76-85页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·原料与实验方法 | 第76-77页 |
| ·原料 | 第76-77页 |
| ·实验方法 | 第77页 |
| ·实验结果与讨论 | 第77-83页 |
| ·PCS裂解过程的XRD分析 | 第77-78页 |
| ·裂解过程的元素分析 | 第78-79页 |
| ·聚碳硅烷裂解过程的热重分析 | 第79-80页 |
| ·裂解温度对晶粒大小的影响 | 第80-81页 |
| ·聚碳硅烷裂解产物的TEM观察 | 第81页 |
| ·纳米SiC-(Mo,W)Si_2复合粉末的表征 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 (Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料热压工艺的研究 | 第85-96页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·实验方法 | 第85-87页 |
| ·工艺流程及成份设计 | 第85-86页 |
| ·裂解-热压工艺 | 第86-87页 |
| ·性能测试 | 第87页 |
| ·神经网络-遗传算法优化(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料热压制备工艺 | 第87-95页 |
| ·人工神经网络技术 | 第87-89页 |
| ·遗传算法 | 第89-90页 |
| ·人工神经网络的设计和训练 | 第90-92页 |
| ·人工神经网络的预测 | 第92页 |
| ·遗传算法寻优及单因素分析 | 第92-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 (Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料显微结构与力学性能分析 | 第96-128页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·实验方法 | 第96-98页 |
| ·实验材料 | 第96页 |
| ·性能测试 | 第96-97页 |
| ·组织结构分析 | 第97-98页 |
| ·实验结果与分析 | 第98-111页 |
| ·XRD物相分析 | 第98页 |
| ·偏光金相分析 | 第98-100页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料的TEM观察 | 第100页 |
| ·SiC含量对(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料致密度的影响 | 第100页 |
| ·室温力学性能 | 第100-106页 |
| ·高温强度 | 第106-110页 |
| ·与国外同类材料的强度比较 | 第110-111页 |
| ·"内晶型"结构形成过程分析 | 第111-113页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料中残余应力分析 | 第113-115页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料中的位错分析 | 第115-120页 |
| ·位错的产生 | 第115-117页 |
| ·位错交截形成的割阶 | 第117-118页 |
| ·位错的塞积 | 第118-120页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料中的强韧化机理分析 | 第120-124页 |
| ·材料的显微结构 | 第120-122页 |
| ·断裂模式的改变 | 第122-123页 |
| ·残余应力的作用 | 第123-124页 |
| ·固溶强化 | 第124页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料中的高温强化机理分析 | 第124-126页 |
| ·纳米SiC颗粒对高温性能的改善 | 第124-125页 |
| ·合金化提高基体高温强度 | 第125-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 (Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料的高温抗氧化性能研究 | 第128-143页 |
| ·引言 | 第128页 |
| ·实验方法 | 第128-129页 |
| ·静态等温氧化 | 第128页 |
| ·燃气环境高温氧化 | 第128-129页 |
| ·氧化表面相组成和微观形貌分析 | 第129页 |
| ·实验结果与讨论 | 第129-142页 |
| ·(Mo,W)Si_2复合材料的静态高温氧化性能 | 第129-134页 |
| ·(Mo,W)Si_2-SiC纳米复合材料的静态高温氧化性能 | 第134-138页 |
| ·燃气环境高温氧化分析 | 第138-142页 |
| ·本章小结 | 第142-143页 |
| 第八章 结论 | 第143-146页 |
| 参考文献 | 第146-159页 |
| 致谢 | 第159-160页 |
| 攻读博士学位期间主要的研究成果 | 第160页 |
