| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 综述 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN基LED基本结构 | 第8-9页 |
| ·抑制GaN器件性能发展的原因及相应解决方法 | 第9-17页 |
| ·内量子效率 | 第9-13页 |
| ·提取效率 | 第13-17页 |
| ·GaN基LED的市场应用现状及存在的问题 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究内容和行文安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第2章 PECVD生长SiN钝化膜对Si衬底GaN基LED光电性能影响的研究 | 第22-48页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·综述 | 第22-26页 |
| ·钝化膜的发展史 | 第22-23页 |
| ·SiN与SiO_2钝化膜的异同 | 第23页 |
| ·SiN钝化膜常用生长的方法及设备 | 第23-25页 |
| ·SiN钝化膜在GaN材料中的研究现状 | 第25-26页 |
| ·生长参数与薄膜生长厚度及腐蚀速率间的对应关系 | 第26-32页 |
| ·实验用的PECVD概述 | 第26页 |
| ·实验用的芯片概述 | 第26-27页 |
| ·PECVD各参数与膜生长时间的对应关系 | 第27-32页 |
| ·钝化对电学性能的影响 | 第32-40页 |
| ·钝化对反向电压V_r的影响 | 第32-35页 |
| ·钝化对开启电压VF1的影响 | 第35-38页 |
| ·SiN钝化膜对Si衬底GaN基LED抗静电能力的影响 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| ·钝化对光学性能的影响 | 第40-45页 |
| ·钝化膜对光输出的影响 | 第40-41页 |
| ·钝化膜对光衰的影响 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| ·总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第3章 Si衬底GaN基LED外延膜位错的研究 | 第48-70页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·位错对器件发光的影响 | 第48-49页 |
| ·位错的表征方法综述 | 第49-54页 |
| ·AFM对位错的观察 | 第50-51页 |
| ·X射线双晶衍射技术 | 第51-52页 |
| ·化学浸蚀法 | 第52-54页 |
| ·XRD对Si衬底GaN基LED外延膜位错密度的表征 | 第54-57页 |
| ·AFM对Si衬底GaN薄膜材料的表征 | 第57-60页 |
| ·化学腐蚀法对Si衬底GaN薄膜材料位错密度的表征 | 第60-67页 |
| ·实验 | 第60页 |
| ·实验结论 | 第60-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| ·总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第4章 总结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第73页 |
