| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·本文工作简介 | 第9页 |
| ·课题来源 | 第9-11页 |
| 第二章 非线性的表征技术 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·非线性电路的特点 | 第11-13页 |
| ·非线性电路的表征 | 第13-19页 |
| ·单音激励下的非线性指标参数 | 第13-15页 |
| ·双音激励下的非线性指标参数 | 第15-17页 |
| ·多频音激励下的非线性指标参数 | 第17-19页 |
| ·非线性散射函数 | 第19-29页 |
| ·非线性散射函数的定义 | 第19-20页 |
| ·非线性散射函数的物理含义 | 第20-23页 |
| ·非线性散射函数的特性 | 第23页 |
| ·非线性函数之间的关系 | 第23-24页 |
| ·非线性函数矩阵的归一化表示 | 第24-25页 |
| ·两端口非线性网络与两端口线性网络连接 | 第25-27页 |
| ·两端口非线性网络端接反射系数为Γ_2~1 、Γ_2~2 、Γ_2~3 的负载的情况 | 第27-29页 |
| 第三章 晶体管小信号建模 | 第29-51页 |
| ·小信号建模方法概述 | 第29-30页 |
| ·GaAsMESFET 小信号模型的建立 | 第30-51页 |
| ·GaAsMESFET小信号等效电路模型的建立 | 第30-32页 |
| ·GaAsMESFET小信号等效电路模型的S参数的计算 | 第32-37页 |
| ·小信号模型电路灵敏度的分析 | 第37-39页 |
| ·目标函数的选取 | 第39-41页 |
| ·优化方法 | 第41-42页 |
| ·计算结果及分析 | 第42-51页 |
| 第四章 晶体管大信号模型的建立 | 第51-63页 |
| ·大信号模型概述 | 第51-52页 |
| ·GaAs MESFET 大信号模型电路 | 第52-55页 |
| ·非线性电流I_(gs) | 第53页 |
| ·非线性电流Idg | 第53-54页 |
| ·非线性电流Ids | 第54页 |
| ·非线性电流Cgs | 第54-55页 |
| ·大信号模型中非线性元件的表述 | 第55-57页 |
| ·大信号模型参数提取方法 | 第57-58页 |
| ·大信号模型修正模型的提出 | 第58-63页 |
| ·问题的提出 | 第58-61页 |
| ·问题解决-修正模型的提出 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第67-68页 |