| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·计算机仿真研究的意义 | 第10-11页 |
| ·薄膜材料研究的国内外现状 | 第11-13页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·研究现状 | 第13页 |
| ·关于原子间相互作用势的研究情况 | 第13-20页 |
| ·势函数的具体形式 | 第15-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| ·本课题研究的主要目的与内容 | 第20-21页 |
| 第二章 基本理论与研究方法 | 第21-32页 |
| ·第一原理计算方法 | 第21-28页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-25页 |
| ·局域密度泛函近似(LDA) | 第25-26页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第26-27页 |
| ·赝势方法 | 第27-28页 |
| ·第一原理计算软件VASP 简介 | 第28-32页 |
| ·VASP 的安装 | 第29-30页 |
| ·数据的输入与输出 | 第30-31页 |
| ·VASP 软件的测试 | 第31-32页 |
| 第三章 单原子在TIN(001)表面吸附的第一原理研究 | 第32-36页 |
| 引言 | 第32-33页 |
| ·模型与计算方法 | 第33页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第33-36页 |
| ·TiN(001)表面的吸附能 | 第33-34页 |
| ·讨论 | 第34-36页 |
| 第四章 基于MORSE 势拟合第一原理的计算结果 | 第36-61页 |
| 引言 | 第36页 |
| ·调节MORSE 势参数计算单原子在TIN(001)表面的吸附能与激活能 | 第36-50页 |
| ·Ti 在TiN(001)表面的吸附能与激活能拟合 | 第38-43页 |
| ·Si 在TiN(001)表面的吸附能与激活能拟合 | 第43-46页 |
| ·N 在TiN(001)表面的吸附能与激活能拟合 | 第46-50页 |
| ·单原子在TIN(001)表面“绕岛”、“沿岛”、“下岛”的激活能拟合 | 第50-57页 |
| ·绕岛情形 | 第51-54页 |
| ·沿岛与下岛情形 | 第54-57页 |
| ·双粒子在TIN(001)表面的激活能拟合 | 第57-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第五章 工作总结及展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 附录 | 第68-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
