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中子受激辐射计算机断层扫描成像技术中若干关键问题的研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-10页
目录第10-13页
第1章 绪论第13-29页
   ·引言第13-20页
     ·中子的基本性质第13-15页
     ·中子与原子核的作用第15-17页
     ·中子探测方法第17-20页
   ·中子受激辐射计算机断层扫描成像技术第20-28页
     ·NSECT的提出第20-22页
     ·NSECT的意义第22页
     ·NSECT实现方法及难点第22-26页
     ·论文的主要研究内容第26-28页
   ·论文章节安排第28-29页
第2章 快中子激发元素的分析第29-39页
   ·NSECT技术的中子源第29-31页
     ·快中子照相的中子源技术第29-30页
     ·加速器中子源第30-31页
   ·Geant4模拟工具简介第31-32页
   ·最优化中子能量的选择第32-34页
     ·概念的提出第32-33页
     ·计算模型的建立第33页
     ·中子入射能量的优化选择第33-34页
   ·元素的激发能谱第34-38页
   ·小结第38-39页
第3章 高能γ光子的探测第39-79页
   ·相关技术问题第39-42页
     ·国内外相关技术的现状第39-40页
     ·高能γ相机的关键问题第40-42页
   ·传统阵列探测器用于高能γ射线的可行性第42-51页
     ·方法的提出第43-44页
     ·单根晶体输出能谱第44-45页
     ·能谱修正方法第45-48页
     ·阵列的固有空间分辨率第48-50页
     ·准直器空间分辨分析第50-51页
     ·小结第51页
   ·塑料闪烁光纤在高能γ射线辐照下的能量沉积特性第51-64页
     ·方法的提出第51页
     ·关于塑料闪烁光纤第51-55页
     ·高能γ射线在塑料闪烁光纤中的能量沉积特性第55-63页
     ·小结第63-64页
   ·利用康普顿边缘决定能量分辨第64-74页
     ·问题的提出第64页
     ·康普顿效应及其电子谱第64-66页
     ·单根闪烁光纤的能谱及其解释第66-68页
     ·闪烁光纤半径与能量分辨的变化关系第68-70页
     ·串扰分析第70-72页
     ·空间分辨率的分析第72-74页
     ·小结第74页
   ·类似Compton相机用于NSECT的可行性分析第74-78页
     ·问题的提出第74-75页
     ·传统的Compton相机第75-76页
     ·多级散射Compton相机第76-77页
     ·我们的模型第77-78页
   ·小结第78-79页
第4章 基于闪烁光纤阵列的快中子成像研究第79-104页
   ·中子照相技术第79-85页
     ·中子照相的原理第79-80页
     ·中子照相的分类第80-83页
     ·中子照相和X射线照相的比较第83-84页
     ·影响中子照相性能的主要因素第84-85页
   ·闪烁光纤在快中子辐照下的质子分布特性第85-90页
     ·模型的建立第85-86页
     ·反冲质子方向分布第86-87页
     ·反冲质子能量分布第87-88页
     ·闪烁光纤中质子射程第88页
     ·特定角度内的能量分布第88-89页
     ·小结第89-90页
   ·闪烁光纤的辐照特性第90-94页
     ·模型的建立第90页
     ·模拟结果及分析第90-94页
     ·小结第94页
   ·闪烁光纤阵列探测系统的特性第94-104页
     ·调制传递函数第94-97页
     ·阵列探测系统的部分模拟结果第97-103页
     ·小结第103-104页
第5章 总结与展望第104-108页
   ·本文主要工作与创新点第104-106页
   ·研究工作展望第106-108页
参考文献第108-116页
附录第116-139页
致谢第139-141页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第141-142页

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