摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
·引言 | 第9-10页 |
·化学修饰电极的定义及分类 | 第10-12页 |
·化学修饰电极的定义 | 第10页 |
·化学修饰电极的分类 | 第10-12页 |
·化学修饰电极的性能和应用 | 第12-14页 |
·化学修饰电极的性能和效应 | 第12页 |
·化学修饰电极在分析化学中的应用 | 第12-14页 |
·金属电极材料基体的选择研究 | 第14-16页 |
·金属表面电化学与电催化研究 | 第14页 |
·金属电极基体材料的选择 | 第14-15页 |
·钛基电极材料的发展及研究现状 | 第15-16页 |
·常规汞膜电极和化学修饰型复合汞膜电极 | 第16-21页 |
·常规汞膜电极概述 | 第16-18页 |
·影响常规汞膜电极性能的因素 | 第18-19页 |
·化学修饰型复合汞膜电极产生的历史、类型、制备及应用 | 第19-21页 |
·汞膜电极的应用前景及发展趋势 | 第21-23页 |
第二章 电沉积汞膜钛基修饰电极循环伏安法测定磺胺嘧啶 | 第23-33页 |
·仪器与试剂 | 第24页 |
·实验部分 | 第24-25页 |
·电极的制备 | 第24页 |
·分析方法 | 第24-25页 |
·结果与讨论 | 第25-27页 |
·电极伏安行为的机理 | 第25-26页 |
·磺胺嘧啶在修饰电极上的伏安行为 | 第26-27页 |
·测试条件单因素的选择 | 第27-29页 |
·底液的选择 | 第27页 |
·pH值的影响 | 第27-29页 |
·修饰剂的用量 | 第29页 |
·起始电位 | 第29页 |
·取样间隔 | 第29页 |
·扫描速度 | 第29页 |
·正交设计优化测试条件 | 第29-30页 |
·干扰实验 | 第30页 |
·工作曲线和重现性 | 第30-31页 |
·样品分析 | 第31-32页 |
·结论 | 第32-33页 |
第三章 Ti基电极TiO_2表面光化学沉积Hg用于吸附溶出伏安法测定磺胺嘧啶 | 第33-48页 |
·仪器与试剂 | 第33-34页 |
·电极的制备 | 第34-35页 |
·基体电极的处理 | 第34页 |
·纳米TiO_2膜的制备 | 第34-35页 |
·分析方法 | 第35页 |
·QCM测定 | 第35页 |
·磺胺嘧啶的伏安测定 | 第35页 |
·结果与讨论 | 第35-43页 |
·Hg(Ⅱ)在纳米TiO_2上的吸附行为 | 第35-39页 |
·纳米TiO_2光化学过程中吸附Hg(Ⅱ)的脱附 | 第39-41页 |
·Hg/Ti电极的伏安行为 | 第41-42页 |
·磺胺嘧啶在不同电极上的伏安行为 | 第42-43页 |
·测试条件单因素的选择 | 第43-46页 |
·底液的选择 | 第43-44页 |
·pH值的影响 | 第44-45页 |
·钛丝电极上光化学沉积汞的时间 | 第45页 |
·吸附时间 | 第45页 |
·扫描速度 | 第45-46页 |
·工作曲线和重现性 | 第46页 |
·干扰实验 | 第46页 |
·样品分析 | 第46-47页 |
·结论 | 第47-48页 |
第四章 新型电极微分脉冲伏安法测定磺胺嘧啶和甲氧苄啶 | 第48-58页 |
·试剂和仪器 | 第50页 |
·实验部分 | 第50-52页 |
·溶液的配制 | 第50-51页 |
·样品处理 | 第51页 |
·实验方法 | 第51-52页 |
·结果与讨论 | 第52-55页 |
·实验方法的选择 | 第52页 |
·支持电解质及酸度的选择 | 第52-53页 |
·脉冲宽度的选择 | 第53-54页 |
·扫描范围的选择 | 第54页 |
·干扰试验 | 第54页 |
·稳定性实验 | 第54页 |
·工作曲线与检测限 | 第54-55页 |
·样品的回收率实验 | 第55-56页 |
·机理探讨 | 第56页 |
·磺胺嘧啶和甲氧苄啶伏安特性的研究 | 第56页 |
·有关参数的测定 | 第56-57页 |
·恒电位库仑电解法测定电极反应电子转移数 | 第56-57页 |
·动力学参数a_n | 第57页 |
·电极反应质子转移的测定 | 第57页 |
·结论 | 第57-58页 |
结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
附录 | 第67页 |