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新型钛基汞膜电极伏安法测定磺胺类药物

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-23页
   ·引言第9-10页
   ·化学修饰电极的定义及分类第10-12页
     ·化学修饰电极的定义第10页
     ·化学修饰电极的分类第10-12页
   ·化学修饰电极的性能和应用第12-14页
     ·化学修饰电极的性能和效应第12页
     ·化学修饰电极在分析化学中的应用第12-14页
   ·金属电极材料基体的选择研究第14-16页
     ·金属表面电化学与电催化研究第14页
     ·金属电极基体材料的选择第14-15页
     ·钛基电极材料的发展及研究现状第15-16页
   ·常规汞膜电极和化学修饰型复合汞膜电极第16-21页
     ·常规汞膜电极概述第16-18页
     ·影响常规汞膜电极性能的因素第18-19页
     ·化学修饰型复合汞膜电极产生的历史、类型、制备及应用第19-21页
   ·汞膜电极的应用前景及发展趋势第21-23页
第二章 电沉积汞膜钛基修饰电极循环伏安法测定磺胺嘧啶第23-33页
   ·仪器与试剂第24页
   ·实验部分第24-25页
     ·电极的制备第24页
     ·分析方法第24-25页
   ·结果与讨论第25-27页
     ·电极伏安行为的机理第25-26页
     ·磺胺嘧啶在修饰电极上的伏安行为第26-27页
   ·测试条件单因素的选择第27-29页
     ·底液的选择第27页
     ·pH值的影响第27-29页
     ·修饰剂的用量第29页
     ·起始电位第29页
     ·取样间隔第29页
     ·扫描速度第29页
   ·正交设计优化测试条件第29-30页
   ·干扰实验第30页
   ·工作曲线和重现性第30-31页
   ·样品分析第31-32页
   ·结论第32-33页
第三章 Ti基电极TiO_2表面光化学沉积Hg用于吸附溶出伏安法测定磺胺嘧啶第33-48页
   ·仪器与试剂第33-34页
   ·电极的制备第34-35页
     ·基体电极的处理第34页
     ·纳米TiO_2膜的制备第34-35页
   ·分析方法第35页
     ·QCM测定第35页
     ·磺胺嘧啶的伏安测定第35页
   ·结果与讨论第35-43页
     ·Hg(Ⅱ)在纳米TiO_2上的吸附行为第35-39页
     ·纳米TiO_2光化学过程中吸附Hg(Ⅱ)的脱附第39-41页
     ·Hg/Ti电极的伏安行为第41-42页
     ·磺胺嘧啶在不同电极上的伏安行为第42-43页
   ·测试条件单因素的选择第43-46页
     ·底液的选择第43-44页
     ·pH值的影响第44-45页
     ·钛丝电极上光化学沉积汞的时间第45页
     ·吸附时间第45页
     ·扫描速度第45-46页
   ·工作曲线和重现性第46页
   ·干扰实验第46页
   ·样品分析第46-47页
   ·结论第47-48页
第四章 新型电极微分脉冲伏安法测定磺胺嘧啶和甲氧苄啶第48-58页
   ·试剂和仪器第50页
   ·实验部分第50-52页
     ·溶液的配制第50-51页
     ·样品处理第51页
     ·实验方法第51-52页
   ·结果与讨论第52-55页
     ·实验方法的选择第52页
     ·支持电解质及酸度的选择第52-53页
     ·脉冲宽度的选择第53-54页
     ·扫描范围的选择第54页
     ·干扰试验第54页
     ·稳定性实验第54页
     ·工作曲线与检测限第54-55页
   ·样品的回收率实验第55-56页
   ·机理探讨第56页
     ·磺胺嘧啶和甲氧苄啶伏安特性的研究第56页
   ·有关参数的测定第56-57页
     ·恒电位库仑电解法测定电极反应电子转移数第56-57页
     ·动力学参数a_n第57页
     ·电极反应质子转移的测定第57页
   ·结论第57-58页
结论第58-60页
参考文献第60-66页
致谢第66-67页
附录第67页

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