硫属相变存储器CRAM的存储元结构设计及优化
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·半导体存储器 | 第9-10页 |
| ·半导体存储器的发展趋势 | 第10-11页 |
| ·非易失性存储器 | 第11-13页 |
| ·CRAM的研究现状 | 第13-14页 |
| ·CRAM研究中存在的主要问题 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第2章 CRAM存储机理及工作特性 | 第16-21页 |
| ·CRAM的相变材料 | 第16-18页 |
| ·CRAM的工作机理 | 第18-19页 |
| ·CRAM的直流Ⅰ-Ⅴ特性 | 第19-20页 |
| ·CRAM的性能优点 | 第20-21页 |
| 第3章 CRAM存储元结构设计 | 第21-37页 |
| ·CRAM存储元结构设计重点 | 第21-22页 |
| ·CRAM存储元结构设计要求 | 第22-23页 |
| ·现有CRAM存储元结构 | 第23-26页 |
| ·传统CRAM结构 | 第23-24页 |
| ·现有改进的存储单元结构 | 第24-26页 |
| ·基于热场模拟的结构设计 | 第26-37页 |
| ·建立计算机模型 | 第27-31页 |
| ·传统"T"型结构存储元的热场模拟 | 第31-33页 |
| ·改进的"工"型单元结构热场模拟 | 第33-37页 |
| 第4章 基于低功耗的"工"型存储元结构优化 | 第37-53页 |
| ·降低CRAM器件功耗的主要方法 | 第37-39页 |
| ·各层材料尺寸对写电流的影响 | 第39-45页 |
| ·相变层GST的厚度对写电流的影响 | 第40-42页 |
| ·加热层厚度对写电流的影响 | 第42-44页 |
| ·底电极尺寸对写电流的影响 | 第44-45页 |
| ·最优存储单元电阻 | 第45-48页 |
| ·最优"工"型CRAM存储单元结构 | 第48-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录A CRAM用MOS管电场计算理论 | 第59-71页 |
| A.1 MOS管的相关基础知识 | 第59-62页 |
| A.2 半导体器件模型化的物理基础 | 第62-64页 |
| A.3 MOS管内部电场求解方程的建立 | 第64-68页 |
| A.4 MOS管工艺参数选取 | 第68-71页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间所发表的论文及专利 | 第71页 |
