| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·论文的背景 | 第7-8页 |
| ·氧化钒材料的应用 | 第8-13页 |
| ·红外热辐射计 | 第8-9页 |
| ·光开关和光存储器方面的应用 | 第9-11页 |
| ·氧化钒薄膜在太赫兹领域的应用 | 第11-13页 |
| ·课题的研究目标、技术方案及意义 | 第13-14页 |
| 第二章 氧化钒的理化性质、制备方法及量测分析工具介绍 | 第14-28页 |
| ·氧化钒理化性质介绍 | 第14-18页 |
| ·二氧化钒(VO_2) | 第14-17页 |
| ·五氧化二钒(V_2O_5) | 第17-18页 |
| ·三氧化二钒(V_2O_3) | 第18页 |
| ·氧化钒薄膜材料的制备方法介绍 | 第18-22页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第19页 |
| ·溅射镀膜法 | 第19-21页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第21-22页 |
| ·氧化钒薄膜的量测分析工具介绍 | 第22-28页 |
| ·电学特性测试 | 第22-23页 |
| ·太赫兹透过率检测系统 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射法(XRD) | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜法(SEM)与原子力显微镜法(AFM) | 第25-28页 |
| 第三章 氧化钒样品的制备、热处理过程及表征 | 第28-36页 |
| ·溅射设备和快速退火设备介绍 | 第28-30页 |
| ·直流磁控对靶磁控溅射设备 | 第28-29页 |
| ·快速退火设备 | 第29-30页 |
| ·氧化钒薄膜样品的制备过程 | 第30-31页 |
| ·硅基底的清洗 | 第30页 |
| ·在硅基底上淀积氧化钒薄膜 | 第30-31页 |
| ·氧化钒薄膜样品快速退火过程及实验条件 | 第31-33页 |
| ·氧化钒薄膜样品快速退火过程 | 第31-32页 |
| ·氧化钒薄膜的热处理条件 | 第32-33页 |
| ·氧化钒薄膜各项性质的表征 | 第33-36页 |
| ·电阻温度特性测试 | 第33页 |
| ·原子力显微镜（AFM）测试 | 第33页 |
| ·X 光衍射（XRD）测试 | 第33页 |
| ·氧化钒对THz 波的透过性 | 第33-36页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第36-57页 |
| ·快速热处理工艺对氧化钒薄膜表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·氧化钒薄膜结晶状况分析 | 第38-42页 |
| ·快速热处理工艺条件对氧化钒薄膜电学及光学相变的影响 | 第42-56页 |
| ·快速热处理工艺对热致电学相变特性的影响 | 第42-47页 |
| ·不同快速退火条件对氧化钒薄膜热致光学相变的影响 | 第47-53页 |
| ·氧化钒薄膜经不同快速退火工艺的光致相变性质研究 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 研究内容总结与展望 | 第57-59页 |
| ·研究内容总结 | 第57-58页 |
| ·工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
