| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·一维ZnO纳米材料的研究现状与发展前景 | 第8-10页 |
| ·ZnO纳米材料的结构与性质 | 第10-12页 |
| ·ZnO的结构 | 第10-11页 |
| ·光学特性 | 第11页 |
| ·场发射特性 | 第11-12页 |
| ·一维ZnO纳米材料的制备方法 | 第12-14页 |
| ·热蒸发法 | 第12页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第12-13页 |
| ·水热和溶剂热法 | 第13页 |
| ·模板法 | 第13-14页 |
| ·水溶液化学法 | 第14页 |
| ·一维ZnO纳米材料的应用 | 第14-16页 |
| ·ZnO纳米激光器 | 第14-15页 |
| ·基于一维ZnO纳米材料的场发射平板显示器 | 第15页 |
| ·ZnO纳米传感器 | 第15-16页 |
| ·ZnO太阳能电池 | 第16页 |
| ·本论文的主要工作及论文结构 | 第16-18页 |
| 第二章 水浴法制备一维ZnO纳米材料及其形貌和结构分析 | 第18-38页 |
| ·实验材料与设备 | 第18-20页 |
| ·实验材料 | 第18页 |
| ·实验设备 | 第18-20页 |
| ·样品的测试及表征技术 | 第20页 |
| ·实验过程 | 第20-23页 |
| ·P型Si(111)衬底的清洗 | 第20-21页 |
| ·在硅基上制备不同薄膜 | 第21-22页 |
| ·一维ZnO纳米结构的制备 | 第22-23页 |
| ·实验结果与分析 | 第23-32页 |
| ·反应溶液浓度 | 第23-27页 |
| ·生长时间 | 第27-28页 |
| ·生长温度 | 第28-29页 |
| ·pH值 | 第29页 |
| ·不同衬底 | 第29-32页 |
| ·ZnO纳米结构生长机理的研究 | 第32-37页 |
| ·(CH_2)_4N_4的作用 | 第32页 |
| ·ZnO纳米结构的形成过程 | 第32-35页 |
| ·反应生长条件与ZnO形貌和结构的关系 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 ZnO纳米棒阵列光学性质的研究 | 第38-50页 |
| ·半导体材料光致发光的基本原理及其测试设备 | 第38-39页 |
| ·ZnO纳米棒阵列的光致发光谱研究 | 第39-41页 |
| ·退火对ZnO纳米棒阵列光致发光性能的影响 | 第41-43页 |
| ·实验过程及样品处理 | 第41页 |
| ·退火后样品的物相分析 | 第41-42页 |
| ·退火前后样品的光致发光谱 | 第42-43页 |
| ·掺杂对ZnO纳米棒阵列光致发光性能的影响 | 第43-47页 |
| ·实验过程及物相分析 | 第44-45页 |
| ·Al~(3+)掺杂对ZnO纳米棒阵列光致发光性能的影响 | 第45-46页 |
| ·Co~(2+)掺杂对ZnO纳米棒阵列光致发光性能的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 ZnO纳米棒阵列场发射性能的研究 | 第50-62页 |
| ·场发射原理和Fowler-Nordheim(F-N)理论 | 第50-51页 |
| ·实验设备及评价参数 | 第51-54页 |
| ·场发射测试系统 | 第51-53页 |
| ·评价参数 | 第53-54页 |
| ·溶液浓度对ZnO纳米棒阵列场发射性能的影响 | 第54-57页 |
| ·场发射阴极的制备 | 第54页 |
| ·不同样品的SEM图 | 第54-55页 |
| ·不同样品场发射性能比较 | 第55-57页 |
| ·场发射电子的光斑分布 | 第57页 |
| ·衬底种类对ZnO纳米棒阵列场发射性能的影响 | 第57-60页 |
| ·场发射阴极的制备 | 第57-58页 |
| ·不同样品场发射性能比较 | 第58-60页 |
| ·场发射电子的光斑分布 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 总结 | 第62-66页 |
| 1. 工作总结 | 第62-63页 |
| 2. 存在的问题以及今后工作的方向 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 在读期间发表的文章 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
