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高价金属元素掺杂透明导电ITO薄膜的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-39页
   ·引言第10-11页
   ·透明导电氧化物薄膜的研究现状第11-13页
   ·ITO 薄膜的结构与性质第13-18页
     ·结构特性第13-14页
     ·光学性质第14-16页
     ·电学性质第16-18页
   ·ITO 薄膜的主要制备方法第18-21页
     ·磁控溅射法第18-19页
     ·真空蒸发法第19-20页
     ·溶胶-凝胶法第20-21页
   ·ITO 薄膜的导电机理及能带理论第21-24页
     ·导电机理第21-22页
     ·能带理论第22-24页
   ·ITO 薄膜的研究展望第24-25页
   ·低温沉积ITO 薄膜第25-27页
   ·ITO 薄膜的应用和有待解决的主要问题第27-29页
     ·ITO 薄膜的应用第27-28页
     ·ITO 薄膜有待解决的主要问题第28-29页
   ·本论文的研究背景和研究内容第29页
 参考文献第29-39页
第二章 共溅射法制备Zr 掺杂ITO 薄膜的特性研究第39-74页
   ·引言第39页
   ·高价金属元素掺杂ITO 薄膜的研究现状第39-41页
   ·实验方法及步骤第41-43页
   ·薄膜厚度和Zr 靶溅射功率对ITO 薄膜光电性能的影响第43-47页
     ·薄膜厚度对ITO 薄膜光电性能的影响第43-45页
     ·锆靶溅射功率对ITO 薄膜光电性能的影响第45-47页
   ·衬底温度对ITO 和ITO:Zr 薄膜结构与光电性能的影响第47-57页
     ·衬底温度对薄膜微结构的影响第47-52页
     ·衬底温度对薄膜光电性能的影响第52-57页
   ·氧流量对ITO 和ITO:Zr 薄膜结构与光电性能的影响第57-63页
     ·氧流量对薄膜微结构的影响第57-60页
     ·氧流量对薄膜光电性能的影响第60-63页
   ·退火处理对ITO 和ITO:Zr 薄膜结构与光电性能的影响第63-71页
     ·不同退火时间下薄膜电阻的变化第63-64页
     ·退火温度对薄膜微结构的影响第64-67页
     ·退火温度对薄膜光电性能的影响第67-71页
   ·本章小结第71页
 参考文献第71-74页
第三章 氧化铟及其Sn、Zr 掺杂的电子能带结构计算第74-89页
   ·引言第74-75页
   ·密度泛函理论第75-77页
   ·第一性原理计算的理论模型与计算方法第77-79页
   ·计算结果与讨论第79-86页
     ·氧化铟的电子结构与态密度第79-81页
     ·ITO 中不同Sn 掺杂量的理论计算研究第81-84页
     ·ITO:Zr 的电子结构与态密度第84-86页
   ·本章小结第86页
 参考文献第86-89页
第四章 共溅射法制备 Ta_2O_5掺杂 ITO 薄膜的特性研究第89-106页
   ·引言第89页
   ·实验方法及步骤第89-90页
   ·不同的制备过程对ITO:TA 薄膜结构与光电性能的影响第90-97页
     ·ITO:Ta 薄膜的微结构第90-92页
     ·ITO:Ta 薄膜的光电性能第92-97页
   ·ITO:TA 和ITO:Zr 薄膜结构与光电性能的对比第97-100页
   ·ITO:TA 电子能带结构的第一性原理计算第100-103页
   ·本章小结第103页
 参考文献第103-106页
第五章 掺杂ITO 薄膜的环境稳定性和表面能的研究第106-128页
   ·引言第106-107页
   ·掺杂ITO 薄膜在酸碱溶液和热环境中的性能研究第107-115页
     ·实验过程第107-108页
     ·薄膜在酸碱溶液和热环境中电阻的变化第108-111页
     ·薄膜酸腐蚀前后的表面形貌和XPS 的研究第111-115页
   ·掺杂ITO 薄膜在不同模拟环境中的电学稳定性和电化学测试第115-122页
     ·实验过程第115-116页
     ·薄膜在不同模拟环境中的电学稳定性第116-118页
     ·薄膜在不同模拟环境中的电化学测试第118-122页
   ·掺杂ITO 薄膜表面能的研究第122-126页
     ·理论基础与实验过程第122-124页
     ·薄膜表面能的研究第124-126页
   ·本章小结第126页
 参考文献第126-128页
第六章 主要结论及创新点第128-130页
   ·主要结论第128-129页
   ·创新点第129-130页
致谢第130-131页
攻读博士学位期间发表或录用的论文及申请的专利第131-133页

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