| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-22页 |
| ·有机电致发光概述 | 第9-12页 |
| ·有机电致发光器件的结构 | 第9-10页 |
| ·有机电致发光器件的工作原理和发光效率 | 第10-11页 |
| ·有机电致发光材料的分类 | 第11-12页 |
| ·有机电致发光的优点和存在的问题 | 第12页 |
| ·含硅有机电致发光材料的研究进展 | 第12-15页 |
| ·含硅小分子电致发光材料 | 第12-14页 |
| ·含硅聚合物电致发光材料 | 第14-15页 |
| ·理论计算的发展 | 第15-16页 |
| ·课题选择的意义和研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第22-39页 |
| ·量子化学的发展 | 第22页 |
| ·分子轨道理论 | 第22-24页 |
| ·闭壳层分子的HFR 方程 | 第23页 |
| ·开壳层分子的HFR 方程 | 第23-24页 |
| ·组态相互作用（Configuration Interaction，CI） | 第24-25页 |
| ·密度泛函理论（Density Functional Theory，DFT） | 第25-27页 |
| ·电子激发态理论 | 第27-30页 |
| ·Kasha 规则 | 第28-29页 |
| ·荧光光谱与斯托克位移 | 第29页 |
| ·激发态计算的主要方法 | 第29-30页 |
| ·电子光谱理论 | 第30-32页 |
| ·Frank-Condon 原理 | 第30-31页 |
| ·选择定则 | 第31-32页 |
| ·能带理论 | 第32-36页 |
| ·能带结构(Band Structure)计算 | 第33-34页 |
| ·虚位势 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第3章 氟取代噻咯衍生物结构和光电性能的理论研究 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·计算模型和方法 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-44页 |
| ·基态几何结构 | 第39-41页 |
| ·前线分子轨道和能隙 | 第41-42页 |
| ·氟取代对吸收光谱和发射光谱的影响 | 第42-43页 |
| ·氟取代对电子传输性质的影响 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第4章 双噻吩并硅杂环戊二烯(DTS)取代效应的理论研究 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·计算模型和方法 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·基态几何结构 | 第48-49页 |
| ·电子结构 | 第49-52页 |
| ·吸收光谱和发射光谱 | 第52-53页 |
| ·电离能、电子亲合能和重组能 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第5章 反式噻吩、噻咯和噻吩噻咯交替共混的低聚物电子性质的理论研究 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·计算模型和方法 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-65页 |
| ·基态几何结构 | 第58-60页 |
| ·电子结构 | 第60-63页 |
| ·吸收和发射性质 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第6章 双极性传输材料乙硅烷基双柱撑二蒽(SiDPBA)的 理论研究 | 第69-81页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·理论模型与方法 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-76页 |
| ·几何结构 | 第71页 |
| ·能带结构 | 第71-73页 |
| ·态密度DOS | 第73-74页 |
| ·跃迁积分和电荷迁移率 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第82页 |
