金属氧化物薄膜晶体管紧凑模型及参数提取的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 缩略词 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 金属氧化物薄膜特性 | 第11-14页 |
| 1.3 金属氧化物薄膜晶体管器件结构和传导机制 | 第14-16页 |
| 1.4 金属氧化物薄膜晶体管研究现状 | 第16-20页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第20-21页 |
| 1.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 2 MOTFT陷阱态密度提取 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 C-V特性法 | 第22-27页 |
| 2.3 结果与分析 | 第27-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 MOTFT接触电阻的提取 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 接触电压法 | 第34-39页 |
| 3.3 结果与分析 | 第39-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 MOTFT直流紧凑模型 | 第47-59页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 迁移率模型 | 第47-48页 |
| 4.3 漏电流模型 | 第48-52页 |
| 4.4 模型验证与分析 | 第52-57页 |
| 4.5 图形用户界面(GUI) | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
