| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 二维材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 石墨烯简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 MoS_2简介 | 第10-11页 |
| 1.2.3 其他二维材料简介 | 第11页 |
| 1.3 石墨烯的基本结构和性能 | 第11-14页 |
| 1.3.1 石墨烯的能带结构 | 第11-12页 |
| 1.3.2 石墨烯的电学性能 | 第12-13页 |
| 1.3.3 石墨烯的光学性能 | 第13-14页 |
| 1.4 石墨烯的应用前景 | 第14-15页 |
| 1.4.1 石墨烯在微电子上的应用 | 第14页 |
| 1.4.2 石墨烯在透明电极上的应用 | 第14-15页 |
| 1.4.3 石墨烯在能源领域的应用 | 第15页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 石墨烯制备与转移方法以及性能表征 | 第17-27页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 2.1.2 氧化还原法 | 第17-18页 |
| 2.1.3 外延生长法 | 第18-19页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 2.1.5 其他制备方法 | 第20页 |
| 2.2 石墨烯的转移方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 转移机械剥离法生长的石墨烯 | 第20-21页 |
| 2.2.2 转移金属上以CVD法生长的石墨烯 | 第21-22页 |
| 2.2.3 转移SiC上生长的石墨烯 | 第22-23页 |
| 2.3 石墨烯的性能表征 | 第23-25页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第24页 |
| 2.3.4 拉曼光谱 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 基于非金属衬底的免转移生长实验 | 第27-41页 |
| 3.1 垂直冷壁化学气相沉积系统 | 第27-29页 |
| 3.2 金属辅助的免转移生长研究 | 第29-36页 |
| 3.2.1 基于金属Ni辅助的免转移生长 | 第29-31页 |
| 3.2.2 相关实验及结果 | 第31-36页 |
| 3.3 采用PLASMA辅助的免转移生长研究 | 第36-40页 |
| 3.3.1 Plasma增强技术下Cu辅助生长 | 第36-38页 |
| 3.3.2 Plasma增强技术下直接生长 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 有机物做碳源的免转移生长研究 | 第41-49页 |
| 4.1 有机物做碳源的免转移生长实验流程 | 第41-42页 |
| 4.2 有机物做碳源的免转移生长实验 | 第42-47页 |
| 4.2.1 温度对生长结果影响的探究实验 | 第42-43页 |
| 4.2.2 衬底与残留物关系的探究实验 | 第43-45页 |
| 4.2.3 PMMA做碳源的石墨烯形成过程的探究实验 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 垂直石墨烯的生长研究 | 第49-57页 |
| 5.1 垂直石墨烯简介 | 第49-51页 |
| 5.1.1 垂直石墨烯的性能 | 第49-50页 |
| 5.1.2 垂直石墨烯的生长及应用 | 第50-51页 |
| 5.2 垂直石墨烯的生长实验 | 第51-56页 |
| 5.2.1 采用远距离Plasma的生长实验 | 第52-53页 |
| 5.2.2 采用近距离Plasma的生长实验 | 第53-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士期间所发表的学术论文 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |