| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 阻变存储器简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 RRAM的基本结构及工作原理 | 第11页 |
| 1.2.2 RRAM的主要参数 | 第11-12页 |
| 1.3 RRAM的阻变机理 | 第12-15页 |
| 1.3.1 金属导电细丝型 | 第13页 |
| 1.3.2 氧空位导电细丝型 | 第13页 |
| 1.3.3 界面势垒调节型 | 第13-14页 |
| 1.3.4 电荷俘获释放型 | 第14-15页 |
| 1.4 氧化钒材料及其阻变存储器的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.4.1 氧化钒材料 | 第15页 |
| 1.4.2 氧化钒阻变存储器的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.5 本文所研究及探讨的内容 | 第20-21页 |
| 第二章 阻变存储器制备技术及表征技术 | 第21-27页 |
| 2.1 阻变存储器制备设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第21-22页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第22页 |
| 2.1.3 快速退火炉 | 第22-23页 |
| 2.2 阻变存储器测试与表征设备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第23页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.3 椭圆偏振光谱仪 | 第24页 |
| 2.2.4 半导体参数分析仪 | 第24页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 氧化钒薄膜的制备与研究 | 第27-39页 |
| 3.1 不同氧分压条件对VOX薄膜的影响 | 第27-31页 |
| 3.1.1 不同氧分压条件的VOx薄膜的表面形貌 | 第28-29页 |
| 3.1.2 不同氧分压条件的VOx薄膜XRD | 第29-31页 |
| 3.2 不同退火时间对VOX薄膜的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.1 不同退火时间的VOx薄膜的表面形貌 | 第31-33页 |
| 3.2.2 不同退火时间的VOx薄膜的XRD表征 | 第33-34页 |
| 3.3 不同退火温度对VOX薄膜的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 不同退火温度的VOx薄膜表面形貌 | 第35-36页 |
| 3.3.2 不同退火温度的VOx薄膜XRD | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 Ag/VOx/Al结构的阻变存储器的特性研究 | 第39-53页 |
| 4.1 不同氧分压条件对Ag/VOx/Al器件的阻变性能的影响 | 第40-43页 |
| 4.2 不同退火时间对Ag/VOx/Al器件的影响 | 第43-45页 |
| 4.3 不同退火温度对Ag/VOx/Al器件的影响 | 第45-48页 |
| 4.4 Ag/VOx/Al结构阻变器件的机理分析 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-53页 |
| 第五章 Ni/VOx/Al结构阻变存储器特性的研究 | 第53-63页 |
| 5.1 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的制备 | 第53-54页 |
| 5.2 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的测试与分析 | 第54-62页 |
| 5.2.1 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的微观结构 | 第54-55页 |
| 5.2.2 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的电学测试结果 | 第55-57页 |
| 5.2.3 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的阻变机理分析 | 第57-59页 |
| 5.2.4 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的活化能分析 | 第59-60页 |
| 5.2.5 Ni/VOx/Al结构的阻变存储器的阻变模型 | 第60-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
