MPCVD法制备光学级金刚石的研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 金刚石结构与分类 | 第13-15页 |
1.1.1 金刚石的结构 | 第13-14页 |
1.1.2 金刚石的分类 | 第14-15页 |
1.2 金刚石的物理化学性能 | 第15-19页 |
1.2.1 优异的力学性能及其应用 | 第15-16页 |
1.2.2 优异的热学性能及其应用 | 第16-17页 |
1.2.3 优异的电学性能及其应用 | 第17-18页 |
1.2.4 优异的光学性能及其应用 | 第18页 |
1.2.5 优异的声学性能及其应用 | 第18-19页 |
1.2.6 稳定的化学性质 | 第19页 |
1.3 CVD金刚石薄膜的研究进展 | 第19-27页 |
1.3.1 CVD金刚石膜的生长机理 | 第21-22页 |
1.3.2 CVD金刚石技术的发展概况 | 第22-26页 |
1.3.3 光学级CVD金刚石的研究进展 | 第26-27页 |
1.4 本论文的研究内容 | 第27-30页 |
第2章 实验装置及其表征方法 | 第30-40页 |
2.1 MPCVD装置的分类 | 第30-31页 |
2.2 MPCVD装置的结构及其原理 | 第31-36页 |
2.2.1 微波系统 | 第32-35页 |
2.2.2 供气装置 | 第35-36页 |
2.2.3 反应室与真空抽气系统 | 第36页 |
2.2.4 保护装置系统 | 第36页 |
2.3 样品表征方法 | 第36-40页 |
2.3.1 光学金相显微镜 | 第37页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第37-38页 |
2.3.3 激光拉曼光谱 | 第38页 |
2.3.4 傅里叶红外光谱仪 | 第38-40页 |
第3章 光学级金刚石膜的制备研究 | 第40-60页 |
3.1 引言 | 第40页 |
3.2 本底真空及漏气率 | 第40-43页 |
3.3 制备金刚石薄膜的基本工艺参数研究 | 第43-52页 |
3.3.1 甲烷浓度对制备金刚石薄膜的影响 | 第46-50页 |
3.3.2 基片温度对制备金刚石薄膜的影响 | 第50-52页 |
3.4 基片温度的影响因素 | 第52-55页 |
3.5 光学级金刚石膜的制备 | 第55-57页 |
3.6 本章小结 | 第57-60页 |
第4章 单晶金刚石外延生长的研究 | 第60-70页 |
4.1 引言 | 第60页 |
4.2 单晶金刚石衬底的预处理 | 第60-63页 |
4.3 单晶金刚石的外延生长 | 第63-69页 |
4.3.1 温度对外延生长的影响 | 第63-66页 |
4.3.2 单晶金刚石质量的分析 | 第66-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-70页 |
第5章 全文总结 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-80页 |
硕士期间已发表论文 | 第80-82页 |
致谢 | 第82页 |