| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1 SiC/Si异质结的制备和电学特性 | 第7-11页 |
| 1.1 SiC/Si基异质结的生长方法及机理 | 第7-8页 |
| 1.2 SiC/Si基异质结的电学特性 | 第8-10页 |
| 1.2.1 功率电子特性 | 第8-9页 |
| 1.2.2 隧道效应 | 第9-10页 |
| 1.3 SiC/Si基异质结的频率响应 | 第10-11页 |
| 2 GaN/SiC异质结的研究及应用 | 第11-14页 |
| 2.1 GaN/SiC异质结的制备、结构及物性 | 第11-13页 |
| 2.2 GaN/SiC异质结器件及应用 | 第13-14页 |
| 3 IMPATT二极管的研究与应用 | 第14-16页 |
| 3.1 Si基IMPATT二极管 | 第14页 |
| 3.2 SiC同质结与异质结IMPATT二极管 | 第14-15页 |
| 3.3 GaN同质结与异质结IMPATT二极管 | 第15-16页 |
| 4 本文内容的结构 | 第16-17页 |
| 第二章 SiC同质结IMPATT、MITATT二极管的小信号性能 | 第17-35页 |
| 1 引言 | 第17-18页 |
| 2 器件结构及其漂移-扩散模型 | 第18-24页 |
| 2.1 直流模型 | 第18-21页 |
| 2.2 小信号模型 | 第21-23页 |
| 2.3 器件的噪声 | 第23页 |
| 2.4 计算流程及框图 | 第23-24页 |
| 3 结果与讨论 | 第24-34页 |
| 3.1 直流参数 | 第24-31页 |
| 3.2 小信号参数 | 第31-34页 |
| 4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiC/Si异质结IMPATT二极管的大信号性能 | 第35-51页 |
| 1 引言 | 第35-36页 |
| 2 器件结构及其漂移-扩散模型 | 第36-40页 |
| 3 直流参数计算 | 第40-41页 |
| 4 交流大信号参数求解 | 第41-43页 |
| 5 噪声特性 | 第43-44页 |
| 6 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 SiC/GaN异质结IMPATT二极管的性能模拟 | 第51-61页 |
| 1 引言 | 第51页 |
| 2 SiC/GaN异质结构及其量子校正漂移-扩散模型 | 第51-53页 |
| 3 结果与讨论 | 第53-60页 |
| 4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 1 结论 | 第61页 |
| 2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士期间的学术论文 | 第71页 |
