| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 插图索引 | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第11-13页 |
| ·碳纳米管的制备及纯化 | 第13-14页 |
| ·电弧法 | 第13页 |
| ·激光蒸发法 | 第13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| ·碳纳米管的纯化 | 第14页 |
| ·碳纳米管的电学性质 | 第14-15页 |
| ·金属型或半导体型电子结构 | 第14页 |
| ·弹道输运 | 第14-15页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第15页 |
| ·超导效应 | 第15页 |
| ·碳纳米管的应用前景 | 第15-16页 |
| ·本文的工作和目的 | 第16-18页 |
| 第2章 基于第一性原理的非平衡格林函数方法 | 第18-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-24页 |
| ·波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第18页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第18-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| ·KS方程 | 第19-20页 |
| ·局域密度近似 | 第20-22页 |
| ·赝势近似 | 第22-24页 |
| ·结合密度泛函和非平衡格林函数方法的电子输运 | 第24-26页 |
| ·非平衡有效势 | 第25页 |
| ·电导公式 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 氮掺杂单壁手性碳纳米管的电子结构和输运特性 | 第27-39页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·计算模型和方法 | 第27-29页 |
| ·结果分析和讨论 | 第29-34页 |
| ·理想管掺杂前后的电子结构 | 第29-31页 |
| ·理想管掺杂前后的透射系数 | 第31-32页 |
| ·掺杂前后的电流-电压和微分电导特性 | 第32-34页 |
| ·氮掺杂半导体管的电子结构和输运性能 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 硼氮共掺手性碳纳米管的电子结构和输运特性 | 第39-46页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第39-40页 |
| ·掺杂对电子结构的影响 | 第40-41页 |
| ·掺杂对输运性能的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 含氮空位缺陷对碳管电子输运特性的影响 | 第46-52页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第46-47页 |
| ·缺陷对电子结构和输运的影响 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表学术论文) | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |