| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 GaAs/AlGaAs材料研究进展 | 第11-17页 |
| 1.2.1 GaAs/AlGaAs单量子阱材料研究进展 | 第11-15页 |
| 1.2.2 GaAs/AlGaAs多量子阱材料研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3 GaAs/AlGaAs材料光电器件研究进展 | 第17-20页 |
| 1.3.1 GaAs/AlGaAsQWIP研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3.2 GaAs/AlGaAs纳米线器件研究进展 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 材料制备方法及测试手段 | 第21-29页 |
| 2.1 半导体材料制备方法简介 | 第21页 |
| 2.2 分子束外延技术(MBE) | 第21-25页 |
| 2.2.1 MBE设备简介 | 第21-22页 |
| 2.2.2 MBE设备基本原理 | 第22-23页 |
| 2.2.3 MBE设备生长机理 | 第23-25页 |
| 2.3 半导体材料表征技术 | 第25-28页 |
| 2.3.1 双晶X射线衍射仪理论 | 第25-26页 |
| 2.3.2 光致发光(PL)理论 | 第26-27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM)理论 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 GaAs/Al_xGa_(1-x)As能带结构的模拟与计算 | 第29-40页 |
| 3.1 能带结构理论及能带计算方法 | 第29-31页 |
| 3.1.1 能带结构理论 | 第29-31页 |
| 3.1.2 能带结构计算方法 | 第31页 |
| 3.2 GaAs/AlGaAs能带结构的计算 | 第31-39页 |
| 3.2.1 电子干涉模型理论 | 第31-34页 |
| 3.2.2 GaAs/Al_xGa_(1-x)As能态分布模拟计算 | 第34-35页 |
| 3.2.3 GaAs/Al_xGa_(1-x)AsQWIP波长模拟计算 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 GaAs基量子阱材料生长及物性研究 | 第40-52页 |
| 4.1 GaAs、AlGaAs合金材料的外延生长 | 第40-43页 |
| 4.1.1 GaAs合金外延及表征分析 | 第40-42页 |
| 4.1.2 AlGaAs合金外延及表征分析 | 第42-43页 |
| 4.2 GaAs/AlGaAs多量子阱材料外延生长 | 第43-45页 |
| 4.3 GaAs/AlGaAs多量子阱的结构及发光性质研究 | 第45-51页 |
| 4.3.1 样品XRD表征结果 | 第45-47页 |
| 4.3.2 样品PL表征结果 | 第47-50页 |
| 4.3.3 样品PLMapping表征结果 | 第50页 |
| 4.3.4 样品AFM表征结果 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱的影响 | 第52-60页 |
| 5.1 快速热退火的样品制备 | 第52-53页 |
| 5.2 样品XRD表征分析 | 第53-54页 |
| 5.3 样品室温PL表征分析 | 第54-57页 |
| 5.4 样品PLMapping表征分析 | 第57-58页 |
| 5.5 样品AFM表征分析 | 第58-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第66页 |
