| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| ·光波导技术发展方向 | 第13-14页 |
| ·SOI 衬底材料特性及应用 | 第14-15页 |
| ·主要的微电子制造工艺 | 第15-17页 |
| ·集成光波导数值模拟方法 | 第17-18页 |
| ·SOI 脊形光波导损耗研究现状 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要研究工作及其研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 SOI 脊形光波导的基础理论和数值模拟 | 第20-38页 |
| ·SOI 脊形光波导单模传输条件与有效折射率分析 | 第20-25页 |
| ·光纤与SOI 脊形波导之间耦合损耗分析 | 第25-27页 |
| ·SOI 脊形光波导与PIN 结构制备工艺模拟 | 第27-29页 |
| ·PN 结、PIN 结特性理论分析以及其电性能模拟 | 第29-36页 |
| ·PN 结内建电场分析 | 第30-32页 |
| ·平衡状态下PN 结、PIN 结电学特性的模拟 | 第32-34页 |
| ·直流偏压下PIN 结构光电特性模拟 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 SOI 脊形波导损耗的机制分析及其损耗控制 | 第38-54页 |
| ·SOI 脊形波导的散射损耗分析 | 第38-45页 |
| ·散射损耗的物理机制 | 第38-43页 |
| ·散射损耗的控制途径 | 第43-45页 |
| ·SOI 脊形波导的自由载流子吸收损耗分析 | 第45-53页 |
| ·自由载流子吸收损耗的理论分析 | 第45-47页 |
| ·自由载流子吸收损耗的控制 | 第47-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 SOI 脊形波导损耗测量方案设计与实现 | 第54-63页 |
| ·理论基础讨论 | 第55-58页 |
| ·利用透射谱测量损耗的理论分析 | 第55-56页 |
| ·利用反射谱测量损耗的理论分析 | 第56-58页 |
| ·实验结果分析 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 选择区掺杂方法实验研究与PIN 结构的制备 | 第63-70页 |
| ·选择区掺杂理论基础 | 第63-65页 |
| ·选择区掺杂实验结果分析 | 第65-69页 |
| ·无遮蔽层的掺杂 | 第65-68页 |
| ·有遮蔽层的掺杂 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第78页 |
