| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第13-16页 |
| 1.1.1 太赫兹波简介 | 第13-14页 |
| 1.1.2 太赫兹固态器件研究背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 太赫兹InP固态技术国内外研究动态 | 第16-28页 |
| 1.2.1 太赫兹InP晶体管的国内外发展动态 | 第17-19页 |
| 1.2.2 太赫兹在片测试与去嵌技术的国内外发展动态 | 第19-21页 |
| 1.2.3 太赫兹晶体管模型的国内外发展动态 | 第21-24页 |
| 1.2.4 太赫兹InP芯片的国内外发展动态 | 第24-28页 |
| 1.3 本论文的主要内容和结构安排 | 第28-30页 |
| 第二章 太赫兹InPDHBT器件及制备工艺 | 第30-45页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 InPDHBT的工作原理 | 第30-34页 |
| 2.2.1 HBT与BJT相比的特点 | 第30-31页 |
| 2.2.2 InPDHBT的特性介绍 | 第31-33页 |
| 2.2.3 HBT高频参数及特殊效应介绍 | 第33-34页 |
| 2.3 0.5-μm复合集电区InPDHBT技术及性能介绍 | 第34-40页 |
| 2.3.1 InGaAsP/InP复合集电区技术 | 第34-38页 |
| 2.3.2 0.5-μm InPDHBT制备工艺及性能 | 第38-40页 |
| 2.4 太赫兹片上传输线研究 | 第40-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 太赫兹在片校准与去嵌技术研究 | 第45-65页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 在片测试系统校准方法研究 | 第45-53页 |
| 3.2.1 误差模型 | 第45-48页 |
| 3.2.2 片外校准方法 | 第48-49页 |
| 3.2.3 TRL片内校准 | 第49-53页 |
| 3.3 太赫兹去嵌技术研究 | 第53-64页 |
| 3.3.1 open-short与pad-open-thru-short去嵌技术 | 第54-58页 |
| 3.3.2 thru-halfthru-short去嵌技术 | 第58-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 太赫兹InPDHBT缩放模型研究 | 第65-93页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 太赫兹InPDHBT建模方法 | 第65-68页 |
| 4.3 InPDHBT小信号模型 | 第68-72页 |
| 4.3.1 小信号模型参数提取 | 第68-71页 |
| 4.3.2 模型验证 | 第71-72页 |
| 4.4 InPDHBT大信号模型 | 第72-77页 |
| 4.4.1 电流方程 | 第72-74页 |
| 4.4.2 电荷方程 | 第74-77页 |
| 4.5 InPDHBT寄生区域模型及缩放规则 | 第77-91页 |
| 4.5.1 InPDHBT寄生网络分析 | 第77-80页 |
| 4.5.2 寄生参数提取及缩放规则建立 | 第80-89页 |
| 4.5.3 模型验证 | 第89-91页 |
| 4.6 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 太赫兹InPDHBT放大器芯片研究 | 第93-116页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 太赫兹单片电路设计方法研究 | 第93-95页 |
| 5.3 140GHz放大器芯片设计 | 第95-105页 |
| 5.3.1 140GHz放大单元设计 | 第95-99页 |
| 5.3.2 140GHz功率合成结构设计 | 第99-100页 |
| 5.3.3 140GHz功率放大器设计 | 第100-101页 |
| 5.3.4 测试结果与分析 | 第101-105页 |
| 5.4 220GHz放大器芯片设计 | 第105-111页 |
| 5.4.1 基于0.5×7μm2晶体管的220GHz放大器设计 | 第105-108页 |
| 5.4.2 测试结果及分析 | 第108-109页 |
| 5.4.3 基于0.5×5μm2晶体管的220GHz放大器设计及测试结果 | 第109-111页 |
| 5.5 300GHz共基极放大器设计 | 第111-115页 |
| 5.5.1 300GHz放大器拓扑与电路设计 | 第111-114页 |
| 5.5.2 测试结果与分析 | 第114-115页 |
| 5.6 本章小结 | 第115-116页 |
| 第六章 太赫兹倍频及混频单片电路研究 | 第116-136页 |
| 6.1 引言 | 第116页 |
| 6.2 225-255GHz三倍频芯片及谐波抑制技术研究 | 第116-124页 |
| 6.2.1 太赫兹片上谐波抑制技术 | 第116-120页 |
| 6.2.2 225-255GHzInPDHBT三倍频器设计 | 第120-121页 |
| 6.2.3 测试结果与分析 | 第121-124页 |
| 6.3 220GHz阻性下变频混频器芯片 | 第124-127页 |
| 6.3.1 阻性混频器设计 | 第124-125页 |
| 6.3.2 测试结果与分析 | 第125-127页 |
| 6.4 基于增益增强技术的210GHz次谐波上变频混频器芯片 | 第127-134页 |
| 6.4.1 增益增强技术及混频器芯片设计 | 第127-131页 |
| 6.4.2 测试结果与分析 | 第131-134页 |
| 6.5 本章小结 | 第134-136页 |
| 第七章 总结与展望 | 第136-140页 |
| 7.1 引言 | 第136页 |
| 7.2 本文的主要工作及创新点 | 第136-138页 |
| 7.3 未来工作的展望 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 参考文献 | 第141-152页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第152页 |
