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共沉淀法合成Yb:YAG纳米粉体及透明陶瓷的制备

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-27页
    1.1 透明陶瓷概述第12-14页
        1.1.1 透明陶瓷的发展第12-13页
        1.1.2 透明陶瓷的分类及应用第13-14页
    1.2 YAG透明陶瓷第14-18页
        1.2.1 YAG的结构和性能第14-15页
        1.2.2 YAG单晶的合成及其局限性第15-16页
        1.2.3 YAG透明陶瓷的制备优势第16-17页
        1.2.4 YAG中的稀土元素掺杂第17-18页
    1.3 YAG透明陶瓷的制备方法第18-24页
        1.3.1 YAG粉体的合成工艺第18-22页
        1.3.2 YAG粉体的成型工艺第22-23页
        1.3.3 YAG透明陶瓷的烧结工艺第23-24页
    1.4 烧结助剂第24-25页
    1.5 该课题研究的内容和意义第25-27页
第2章 实验材料及方法第27-34页
    2.1 实验原料第27页
    2.2 主要实验设备第27-28页
    2.3 实验流程第28-31页
        2.3.1 共沉淀法制备YAG粉体第28-29页
        2.3.2 粉体成型第29页
        2.3.3 坯体烧结第29-30页
        2.3.4 样品处理第30-31页
    2.4 性能表征第31-34页
        2.4.1 X射线衍射(XRD)分析第31-32页
        2.4.2 扫描电镜(SEM)分析第32页
        2.4.3 密度测试第32页
        2.4.4 热分析(TG/DTA)第32页
        2.4.5 热膨胀(TMA)分析第32-33页
        2.4.6 透射电镜(TEM)分析第33页
        2.4.7 BET比表面积分析第33页
        2.4.8 等离子体发射光谱(ICP-AES)分析第33-34页
第3章 二氧化硅助剂在YAG粉体及陶瓷制备中的影响机制研究第34-51页
    3.1 YAG粉体物相分析第34-39页
        3.1.1 二氧化硅的添加量对YAG粉体物相的影响第35-38页
        3.1.2 煅烧温度对YAG粉体物相的影响第38-39页
    3.2 比表面积分析第39-40页
        3.2.1 二氧化硅的添加量对粉体比表面积的影响第39页
        3.2.2 煅烧温度对粉体比表面积的影响第39-40页
    3.3 粉体形貌分析第40-45页
        3.3.1 二氧化硅的添加量量对粉体形貌和粒径的影响第40-44页
        3.3.2 煅烧温度对粉体形貌和粒径的影响第44-45页
    3.4 陶瓷密度分析第45-48页
        3.4.1 二氧化硅的添加量对YAG陶瓷密度的影响第45-47页
        3.4.2 煅烧温度对致密化的影响第47-48页
    3.5 二氧化硅助剂对陶瓷显微组织的影响第48-50页
    3.6 本章小结第50-51页
第4章 二氧化硅包覆YAG粉体及透明陶瓷的制备第51-63页
    4.1 问题的提出第51页
    4.2 实验过程第51-52页
        4.2.1 YAG粉体制备第51页
        4.2.2 SiO_2包覆YAG粉体第51-52页
    4.3 结果与讨论第52-62页
        4.3.1 煅烧温度的确定第52-53页
        4.3.2 二氧化硅的包覆量对YAG粉体物相的影响第53-55页
        4.3.3 TG-DTA分析第55-56页
        4.3.4 YAG粉体的形貌和粒径分析第56-59页
        4.3.5 TEM分析第59页
        4.3.6 二氧化硅包覆量对YAG粉体对粉体烧结性能的影响第59-61页
        4.3.7 透过率分析第61-62页
    4.4 本章小结第62-63页
第5章 成分偏析对Yb:YAG粉体和陶瓷物相及显微组织的影响机制研究第63-72页
    5.1 引言第63页
    5.2 实验过程第63-64页
    5.3 结果与讨论第64-71页
        5.3.1 成分偏析对YAG粉体物相的影响第64-67页
        5.3.2 成分偏析对YAG陶瓷显微结构的影响第67-70页
        5.3.3 密度分析第70-71页
    5.4 本章小结第71-72页
第6章 结论第72-73页
参考文献第73-79页
致谢第79页

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