低维硅基材料结构与电子性质的紧束缚计算研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 硅基材料的简介 | 第9-16页 |
1.1.1 硅基材料的研究背景及发展历史 | 第9-12页 |
1.1.2 硅基材料的性质 | 第12-14页 |
1.1.2.1 Si/Ge超晶格的电子态 | 第12-13页 |
1.1.2.2 Si/Ge超晶格的光学性质 | 第13页 |
1.1.2.3 Si调制掺杂结构的输运性质 | 第13-14页 |
1.1.2.4 发光多孔硅的性质 | 第14页 |
1.1.3 硅基材料的应用 | 第14-16页 |
1.2 表面重构 | 第16-19页 |
1.2.1 表面重构和弛豫 | 第16-17页 |
1.2.2 表面重构和弛豫的研究现状 | 第17-18页 |
1.2.3 Si表面重构的介绍 | 第18-19页 |
1.3 本文研究的意义目的及内容 | 第19-21页 |
1.3.1 本文的意义 | 第19-20页 |
1.3.2 本文研究的目的及内容 | 第20-21页 |
第2章 计算机模拟方法和理论基础 | 第21-36页 |
2.1 材料计算科学 | 第21-22页 |
2.2 密度泛函的基本理论 | 第22-26页 |
2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第22-25页 |
2.2.2 Hohenber-Kohn定理 | 第25页 |
2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
2.3 紧束缚(Tight-Binding)方法 | 第26-36页 |
2.3.1 布洛赫定理 | 第27-30页 |
2.3.2 紧束缚方法介绍 | 第30-33页 |
2.3.3 紧束缚方法的发展 | 第33-36页 |
第3章 受尺寸效应影响的硅基表面重构 | 第36-51页 |
3.1 引言 | 第36页 |
3.2 3个原子层厚Si基底表面重构分析 | 第36-40页 |
3.2.1 3个原子层厚Si基底初始结构的建立 | 第36-38页 |
3.2.2 3个原子层厚Si基底的重构结构 | 第38-39页 |
3.2.3 3个原子层厚Si基底键长的确定 | 第39-40页 |
3.3 4个原子层厚Si基底表面重构分析 | 第40-43页 |
3.3.1 4个原子层厚Si基底初始结构的建立 | 第40-41页 |
3.3.2 4个原子层厚Si基底的重构结构 | 第41-42页 |
3.3.3 4个原子层厚Si基底键长的确定 | 第42-43页 |
3.3.4 4个原子层厚Si基底表面电荷分布 | 第43页 |
3.4 5个原子层厚Si基底表面重构分析 | 第43-47页 |
3.4.1 5个原子层厚Si基底初始结构的建立 | 第43-44页 |
3.4.2 5个原子层厚Si基底的重构结构 | 第44-45页 |
3.4.3 5个原子层厚Si基底键长的确定 | 第45-46页 |
3.4.4 5个原子层厚Si基底表面电荷分布 | 第46-47页 |
3.5 6个原子层Si基底表面重构分析 | 第47-50页 |
3.5.1 6个原子层Si基底初始结构的建立 | 第47页 |
3.5.2 6个原子层Si基底弛豫后的结构 | 第47-48页 |
3.5.3 6个原子层Si基底键长的确定 | 第48-49页 |
3.5.4 6个原子层厚Si基底表面电荷分布 | 第49-50页 |
3.6 本章小结 | 第50-51页 |
第4章 Si基底表面放置Ge原子 | 第51-66页 |
4.1 结合能的计算 | 第51页 |
4.2 3个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算 | 第51-53页 |
4.2.1 模型的构建 | 第51-52页 |
4.2.2 结合能的结果与讨论 | 第52-53页 |
4.3 4个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算 | 第53-57页 |
4.3.1 模型的建立 | 第53-54页 |
4.3.2 放置Ge后表层原子的电荷分布 | 第54-56页 |
4.3.3 结合能的结果与讨论 | 第56-57页 |
4.4 5个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算 | 第57-62页 |
4.4.1 模型的建立 | 第57-58页 |
4.4.2 放置Ge后表层原子的电荷分布 | 第58-61页 |
4.4.3 结合能的结果与讨论 | 第61-62页 |
4.5 6个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算 | 第62-65页 |
4.5.1 模型的建立 | 第62-63页 |
4.5.2 放置Ge后表层原子的电荷分布 | 第63-64页 |
4.5.3 结合能的结果与讨论 | 第64-65页 |
4.6 本章小结 | 第65-66页 |
第5章 结论 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
致谢 | 第73页 |