首页--数理科学和化学论文--化学论文--无机化学论文--非金属元素及其化合物论文--第Ⅳ族非金属元素(碳和硅)及其化合物论文--硅Si论文

低维硅基材料结构与电子性质的紧束缚计算研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-21页
    1.1 硅基材料的简介第9-16页
        1.1.1 硅基材料的研究背景及发展历史第9-12页
        1.1.2 硅基材料的性质第12-14页
            1.1.2.1 Si/Ge超晶格的电子态第12-13页
            1.1.2.2 Si/Ge超晶格的光学性质第13页
            1.1.2.3 Si调制掺杂结构的输运性质第13-14页
            1.1.2.4 发光多孔硅的性质第14页
        1.1.3 硅基材料的应用第14-16页
    1.2 表面重构第16-19页
        1.2.1 表面重构和弛豫第16-17页
        1.2.2 表面重构和弛豫的研究现状第17-18页
        1.2.3 Si表面重构的介绍第18-19页
    1.3 本文研究的意义目的及内容第19-21页
        1.3.1 本文的意义第19-20页
        1.3.2 本文研究的目的及内容第20-21页
第2章 计算机模拟方法和理论基础第21-36页
    2.1 材料计算科学第21-22页
    2.2 密度泛函的基本理论第22-26页
        2.2.1 Thomas-Fermi模型第22-25页
        2.2.2 Hohenber-Kohn定理第25页
        2.2.3 Kohn-Sham方程第25-26页
    2.3 紧束缚(Tight-Binding)方法第26-36页
        2.3.1 布洛赫定理第27-30页
        2.3.2 紧束缚方法介绍第30-33页
        2.3.3 紧束缚方法的发展第33-36页
第3章 受尺寸效应影响的硅基表面重构第36-51页
    3.1 引言第36页
    3.2 3个原子层厚Si基底表面重构分析第36-40页
        3.2.1 3个原子层厚Si基底初始结构的建立第36-38页
        3.2.2 3个原子层厚Si基底的重构结构第38-39页
        3.2.3 3个原子层厚Si基底键长的确定第39-40页
    3.3 4个原子层厚Si基底表面重构分析第40-43页
        3.3.1 4个原子层厚Si基底初始结构的建立第40-41页
        3.3.2 4个原子层厚Si基底的重构结构第41-42页
        3.3.3 4个原子层厚Si基底键长的确定第42-43页
        3.3.4 4个原子层厚Si基底表面电荷分布第43页
    3.4 5个原子层厚Si基底表面重构分析第43-47页
        3.4.1 5个原子层厚Si基底初始结构的建立第43-44页
        3.4.2 5个原子层厚Si基底的重构结构第44-45页
        3.4.3 5个原子层厚Si基底键长的确定第45-46页
        3.4.4 5个原子层厚Si基底表面电荷分布第46-47页
    3.5 6个原子层Si基底表面重构分析第47-50页
        3.5.1 6个原子层Si基底初始结构的建立第47页
        3.5.2 6个原子层Si基底弛豫后的结构第47-48页
        3.5.3 6个原子层Si基底键长的确定第48-49页
        3.5.4 6个原子层厚Si基底表面电荷分布第49-50页
    3.6 本章小结第50-51页
第4章 Si基底表面放置Ge原子第51-66页
    4.1 结合能的计算第51页
    4.2 3个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算第51-53页
        4.2.1 模型的构建第51-52页
        4.2.2 结合能的结果与讨论第52-53页
    4.3 4个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算第53-57页
        4.3.1 模型的建立第53-54页
        4.3.2 放置Ge后表层原子的电荷分布第54-56页
        4.3.3 结合能的结果与讨论第56-57页
    4.4 5个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算第57-62页
        4.4.1 模型的建立第57-58页
        4.4.2 放置Ge后表层原子的电荷分布第58-61页
        4.4.3 结合能的结果与讨论第61-62页
    4.5 6个原子层厚Si基表面放置Ge原子的计算第62-65页
        4.5.1 模型的建立第62-63页
        4.5.2 放置Ge后表层原子的电荷分布第63-64页
        4.5.3 结合能的结果与讨论第64-65页
    4.6 本章小结第65-66页
第5章 结论第66-67页
参考文献第67-73页
致谢第73页

论文共73页,点击 下载论文
上一篇:纳米3D石墨烯包裹氧化镧去除水体中磷酸盐
下一篇:周围剪切气流对液桥自由面动态变形影响的实验研究