| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第9-13页 |
| 1.1.1 自旋电子学的发展意义 | 第9-12页 |
| 1.1.2 半金属材料性质特点 | 第12-13页 |
| 1.2 有机分子磁性材料研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3 一维金属有机夹心化合物的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 硼烷类化合物的结构特征 | 第19-22页 |
| 1.4.1 碳硼烷 | 第19-20页 |
| 1.4.2 金属碳硼烷 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第22-23页 |
| 2 理论研究方法 | 第23-30页 |
| 2.1 第一性原理 | 第23-27页 |
| 2.1.1 从波函数到电子密度 | 第23-24页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程：有效单体理论 | 第24-25页 |
| 2.1.3 交换关联能LDA和GGA | 第25-26页 |
| 2.1.4 平面波基组 | 第26-27页 |
| 2.1.5 杂化泛函 | 第27页 |
| 2.2 本论文所采用计算软件包 | 第27-30页 |
| 2.2.1 Vasp程序包简介 | 第27-28页 |
| 2.2.2 DMol3 简介 | 第28页 |
| 2.2.3 Gaussian简介 | 第28-30页 |
| 3 碳硼烷夹心纳米线体系的结构与电磁性质研究 | 第30-45页 |
| 3.1 实验模型简介 | 第30页 |
| 3.2 计算方法 | 第30-31页 |
| 3.3 (MtC_2B_10H_12)_∞体系的性质研究 | 第31-37页 |
| 3.3.1 (MtC_2B_10H_12)_∞的结构和稳定性 | 第31-33页 |
| 3.3.2 (MtC_2B_10H_12)_∞的电子性质 | 第33-34页 |
| 3.3.3 (Sc_C2B_10H_12)_∞的基团修饰的理论研究 | 第34-37页 |
| 3.3.4 小结 | 第37页 |
| 3.4 MtTCDC体系性质研究 | 第37-42页 |
| 3.4.1 MtTCDC纳米线的结构及其稳定性 | 第37-39页 |
| 3.4.2 MtTCDC的电子性质及分析 | 第39-42页 |
| 3.5 基于MtTCDC的新型电子转移模型 | 第42-45页 |
| 4 (VCp)_∞的性质和调制研究 | 第45-50页 |
| 4.1 计算方法 | 第45页 |
| 4.2 (VCp)_∞的电子性质 | 第45-47页 |
| 4.3 (VCp)_∞的性质调制的理论研究 | 第47-50页 |
| 5 总结与展望 | 第50-51页 |
| 5.1 结论 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录 | 第57页 |
