| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 透明导电薄膜的特性 | 第12-16页 |
| 1.2.1 透明导电薄膜的导电性 | 第12-14页 |
| 1.2.2 透明导电薄膜的透光性 | 第14-16页 |
| 1.3 透明导电薄膜的制备工艺 | 第16-19页 |
| 1.3.1 化学方法 | 第16-18页 |
| 1.3.1.1 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.3.1.2 湿化学方法 | 第17-18页 |
| 1.3.2 物理方法 | 第18-19页 |
| 1.3.2.1 物理气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 直流溅射法 | 第19页 |
| 1.4 本课题选题及研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 透明导电金膜的制备过程及表征手段 | 第21-30页 |
| 2.1 透明导电金膜的制备过程 | 第21-22页 |
| 2.1.1 基底的选择 | 第21页 |
| 2.1.2 制备过程 | 第21-22页 |
| 2.2 透明导电金膜的表征手段 | 第22-29页 |
| 2.2.1 椭圆偏振仪 | 第22-28页 |
| 2.2.1.1 椭圆偏振仪知识 | 第22-25页 |
| 2.2.1.2 椭圆偏振仪测量薄膜厚度 | 第25-28页 |
| 2.2.2 四探针测量 | 第28-29页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 透明导电金膜厚度与光、电性能的关系 | 第30-36页 |
| 3.1 透明导电金膜厚度及表面形貌 | 第30-34页 |
| 3.1.1 不同溅射时间的金膜厚度及表面形貌 | 第30-32页 |
| 3.1.2 不同溅射电流的金膜厚度及表面形貌 | 第32-34页 |
| 3.2 透明导电金膜的成膜机理 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 不同基底上透明导电金膜的光学性质分析 | 第36-52页 |
| 4.1 硅基底上透明导电金膜的光学性质 | 第36-40页 |
| 4.1.1 Si 基底的光学性质 | 第36-38页 |
| 4.1.1.1 不同入射角度下 Si 基底的光学性质 | 第37页 |
| 4.1.1.2 不同入射方向上 Si 基底的光学性质 | 第37-38页 |
| 4.1.2 Si 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第38-40页 |
| 4.1.2.1 不同入射角度下 Si 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第39页 |
| 4.1.2.2 不同入射方向上 Si 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第39-40页 |
| 4.2 玻璃基底上透明导电金膜的光学性质 | 第40-46页 |
| 4.2.1 玻璃基底的光学性质 | 第40-42页 |
| 4.2.1.1 不同入射角度下玻璃基底的光学性质 | 第41-42页 |
| 4.2.1.2 不同入射方向上玻璃基底的光学性质 | 第42页 |
| 4.2.2 玻璃基底上透明导电金膜的光学性质 | 第42-46页 |
| 4.2.2.1 不同入射角度下玻璃基底上透明导电金膜的光学性质 | 第44页 |
| 4.2.2.2 不同入射方向上玻璃基底上透明导电金膜的光学性质 | 第44-46页 |
| 4.3 PI 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第46-51页 |
| 4.3.1 PI 基底的光学性质 | 第46-48页 |
| 4.3.1.1 不同入射角度下 PI 基底的光学性质 | 第47页 |
| 4.3.1.2 不同入射方向上 PI 基底的光学性质 | 第47-48页 |
| 4.3.2 PI 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第48-51页 |
| 4.3.2.1 不同入射角度下 PI 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第49-50页 |
| 4.3.2.2 不同入射方向上 PI 基底上透明导电金膜的光学性质 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 课题研究总结 | 第52-53页 |
| 5.2 课题研究展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 硕士期间研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
