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不同基底上透明导电薄膜的光学性质分析

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-10页
第一章 绪论第10-21页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 透明导电薄膜的特性第12-16页
        1.2.1 透明导电薄膜的导电性第12-14页
        1.2.2 透明导电薄膜的透光性第14-16页
    1.3 透明导电薄膜的制备工艺第16-19页
        1.3.1 化学方法第16-18页
            1.3.1.1 化学气相沉积法第16-17页
            1.3.1.2 湿化学方法第17-18页
        1.3.2 物理方法第18-19页
            1.3.2.1 物理气相沉积法第18-19页
        1.3.3 直流溅射法第19页
    1.4 本课题选题及研究工作第19-21页
第二章 透明导电金膜的制备过程及表征手段第21-30页
    2.1 透明导电金膜的制备过程第21-22页
        2.1.1 基底的选择第21页
        2.1.2 制备过程第21-22页
    2.2 透明导电金膜的表征手段第22-29页
        2.2.1 椭圆偏振仪第22-28页
            2.2.1.1 椭圆偏振仪知识第22-25页
            2.2.1.2 椭圆偏振仪测量薄膜厚度第25-28页
        2.2.2 四探针测量第28-29页
        2.2.3 扫描电子显微镜第29页
    2.3 本章小结第29-30页
第三章 透明导电金膜厚度与光、电性能的关系第30-36页
    3.1 透明导电金膜厚度及表面形貌第30-34页
        3.1.1 不同溅射时间的金膜厚度及表面形貌第30-32页
        3.1.2 不同溅射电流的金膜厚度及表面形貌第32-34页
    3.2 透明导电金膜的成膜机理第34-35页
    3.3 本章小结第35-36页
第四章 不同基底上透明导电金膜的光学性质分析第36-52页
    4.1 硅基底上透明导电金膜的光学性质第36-40页
        4.1.1 Si 基底的光学性质第36-38页
            4.1.1.1 不同入射角度下 Si 基底的光学性质第37页
            4.1.1.2 不同入射方向上 Si 基底的光学性质第37-38页
        4.1.2 Si 基底上透明导电金膜的光学性质第38-40页
            4.1.2.1 不同入射角度下 Si 基底上透明导电金膜的光学性质第39页
            4.1.2.2 不同入射方向上 Si 基底上透明导电金膜的光学性质第39-40页
    4.2 玻璃基底上透明导电金膜的光学性质第40-46页
        4.2.1 玻璃基底的光学性质第40-42页
            4.2.1.1 不同入射角度下玻璃基底的光学性质第41-42页
            4.2.1.2 不同入射方向上玻璃基底的光学性质第42页
        4.2.2 玻璃基底上透明导电金膜的光学性质第42-46页
            4.2.2.1 不同入射角度下玻璃基底上透明导电金膜的光学性质第44页
            4.2.2.2 不同入射方向上玻璃基底上透明导电金膜的光学性质第44-46页
    4.3 PI 基底上透明导电金膜的光学性质第46-51页
        4.3.1 PI 基底的光学性质第46-48页
            4.3.1.1 不同入射角度下 PI 基底的光学性质第47页
            4.3.1.2 不同入射方向上 PI 基底的光学性质第47-48页
        4.3.2 PI 基底上透明导电金膜的光学性质第48-51页
            4.3.2.1 不同入射角度下 PI 基底上透明导电金膜的光学性质第49-50页
            4.3.2.2 不同入射方向上 PI 基底上透明导电金膜的光学性质第50-51页
    4.4 本章小结第51-52页
第五章 总结与展望第52-54页
    5.1 课题研究总结第52-53页
    5.2 课题研究展望第53-54页
参考文献第54-59页
硕士期间研究成果第59-60页
致谢第60页

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