| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 VO_2研究背景 | 第12-17页 |
| 1.2.1 VO_2简介 | 第12-15页 |
| 1.2.2 VO_2的相变特点 | 第15-16页 |
| 1.2.3 VO_2的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 VO_2的相变机制 | 第17-22页 |
| 1.3.1 Peierls相变 | 第18-19页 |
| 1.3.2 Mott相变 | 第19-21页 |
| 1.3.3 Peierls与Mott相变的耦合 | 第21-22页 |
| 1.4 调控VO_2相变的因素 | 第22-23页 |
| 1.5 掺杂VO_2薄膜研究进展 | 第23页 |
| 1.6 本论文选题背景和研究的内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-32页 |
| 第二章 样品制备方法与实验方法 | 第32-52页 |
| 2.1 VO_2薄膜的制备工艺 | 第32-37页 |
| 2.1.1 VO_2薄膜制备方法综述 | 第32-33页 |
| 2.1.2 分子束外延生长方法(MBE) | 第33-35页 |
| 2.1.3 离子注入简介 | 第35-37页 |
| 2.2 同步辐射 | 第37-39页 |
| 2.2.1 同步辐射简介 | 第37-38页 |
| 2.2.2 同步辐射应用 | 第38-39页 |
| 2.2.3 同步辐射技术的发展趋势 | 第39页 |
| 2.3 光电子能谱的基本原理与方法 | 第39-41页 |
| 2.4 NEXAFS基本原理及其实验方法 | 第41-43页 |
| 2.5 薄膜厚度的测量 | 第43-44页 |
| 2.6 四探针法 | 第44-45页 |
| 2.7 拉曼光谱 | 第45-46页 |
| 2.8 X射线衍射 | 第46-47页 |
| 2.9 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 第三章 VO_2薄膜的N掺杂研究 | 第52-64页 |
| 3.1 实验 | 第52-54页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第54-60页 |
| 3.2.1 变温电阻实验 | 第54页 |
| 3.2.2 XRD与Raman测量 | 第54-56页 |
| 3.2.3 NEXAFS测量 | 第56-58页 |
| 3.2.4 SRPES谱图测量 | 第58-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 MoO_3对VO_2相变调控的研究 | 第64-76页 |
| 4.1 实验 | 第65-66页 |
| 4.2 实验数据分析 | 第66-72页 |
| 4.2.1 光电子能谱测量(SRPES) | 第66-69页 |
| 4.2.2 结构性能测试(XRD,R-T,Raman) | 第69-72页 |
| 4.3 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 有机分子吸附对VO_2的相变调控研究 | 第76-86页 |
| 5.1 实验 | 第76-77页 |
| 5.2 结果和讨论 | 第77-83页 |
| 5.2.1 温度电阻测试 | 第77-78页 |
| 5.2.2 同步辐射表征(SRPES,NEXAFS) | 第78-82页 |
| 5.2.3 Raman光谱表征 | 第82-83页 |
| 5.3 总结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第六章 VO_2表面O空位修复研究 | 第86-96页 |
| 6.1 实验 | 第86页 |
| 6.2 结果和讨论 | 第86-92页 |
| 6.2.1 氧气氛退火 | 第86-88页 |
| 6.2.2 F_4TCNQ分子吸附氩刻VO_2表面 | 第88-92页 |
| 6.3 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第七章 总结与展望 | 第96-98页 |
| 7.1 全文总结 | 第96-97页 |
| 7.2 展望 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第100-101页 |
