忆阻器基本特性与基于忆阻器的生物突触研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第12-18页 |
| 1.3 论文主要工作和研究内容 | 第18页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第18-20页 |
| 第二章 忆阻器的特性 | 第20-25页 |
| 2.1 忆阻器理论 | 第20-21页 |
| 2.2 忆阻器的基本结构 | 第21-22页 |
| 2.3 忆阻器的阻变机制 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 忆阻器的模型与应用 | 第25-34页 |
| 3.1 忆阻器模型 | 第25-30页 |
| 3.1.1 忆阻器边界迁移模型 | 第25-27页 |
| 3.1.2 窗函数 | 第27-30页 |
| 3.2 忆阻器应用于静电保护电路 | 第30-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 忆阻器应用于突触和联想记忆电路 | 第34-49页 |
| 4.1 忆阻器应用于生物突触 | 第34-44页 |
| 4.1.1 突触 | 第34-36页 |
| 4.1.2 STDP规则 | 第36-37页 |
| 4.1.3 忆阻器用于生物突触的研究现状 | 第37-38页 |
| 4.1.4 基于忆阻器的突触权值调整电路 | 第38-44页 |
| 4.2 忆阻器应用于联想记忆电路 | 第44-47页 |
| 4.2.1 联想记忆的概念 | 第44-45页 |
| 4.2.2 基于忆阻器的联想记忆电路 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 仿真和测试结果 | 第49-61页 |
| 5.1 基于NiO忆阻器的阻变特性表征 | 第49-51页 |
| 5.2 基于HfO_2忆阻器的阻变特性表征 | 第51-52页 |
| 5.3 基于忆阻器的突触权值调整电路仿真结果 | 第52-56页 |
| 5.4 基于忆阻器的联想记忆电路测试结果 | 第56-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
