| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 光子检测技术研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第2章 常见光子检测介绍及SiPM性能分析 | 第12-32页 |
| 2.1 常见光子检测技术介绍 | 第13-18页 |
| 2.1.1 基于频率上转换技术的光子检测 | 第13-14页 |
| 2.1.2 基于低温超导材料的光子检测 | 第14-16页 |
| 2.1.3 光电倍增管的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.2 雪崩光电二极管 | 第18-22页 |
| 2.2.1 硅单光子雪崩光电二极管 | 第19-20页 |
| 2.2.2 InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管 | 第20-22页 |
| 2.3 硅光电倍增管的参数特性分析 | 第22-27页 |
| 2.3.1 SiPM的结构 | 第22-23页 |
| 2.3.2 SiPM的主要性能参数 | 第23-27页 |
| 2.4 硅雪崩光电二极管的噪声特性分析 | 第27-29页 |
| 2.4.1 散粒噪声 | 第27-28页 |
| 2.4.2 热噪声 | 第28页 |
| 2.4.3 l/f噪声 | 第28页 |
| 2.4.4 过剩噪声 | 第28-29页 |
| 2.5 SiPM的温度特性分析 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 LED窄脉冲多光子发生器的设计 | 第32-44页 |
| 3.1 高频信号的发生与分频电路设计 | 第33-35页 |
| 3.2 TTL to ECL电路设计 | 第35-36页 |
| 3.3 窄脉冲生成电路设计 | 第36-39页 |
| 3.4 LED驱动电路的设计 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-44页 |
| 第4章 光子检测电路的设计 | 第44-54页 |
| 4.1 淬灭电路的分析 | 第45-46页 |
| 4.2 雪崩淬灭电路的设计 | 第46-50页 |
| 4.3 前置放大电路的设计 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 硬件实现及实验测试 | 第54-66页 |
| 5.1 实验平台的搭建 | 第54-56页 |
| 5.2 电路硬件实现 | 第56-58页 |
| 5.3 实验结果与分析 | 第58-64页 |
| 5.3.1 高频窄脉冲电路测试结果与分析 | 第59-61页 |
| 5.3.2 光子接收测试结果与分析 | 第61-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第74页 |