| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 光催化原理 | 第10-11页 |
| 1.3 光催化材料的改性方法 | 第11-14页 |
| 1.3.1 金属离子的掺杂 | 第11页 |
| 1.3.2 非金属离子的掺杂 | 第11-12页 |
| 1.3.3 表面光敏化 | 第12-13页 |
| 1.3.4 复合半导体 | 第13-14页 |
| 1.4 石墨烯材料的性质及其在光催化领域的应用 | 第14-16页 |
| 1.4.1 石墨烯的物理化学性质 | 第14-15页 |
| 1.4.2 基于石墨烯的复合半导体光催化材料 | 第15页 |
| 1.4.3 石墨烯在光催化领域的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 多种热点光催化剂及其研究进展 | 第16-19页 |
| 1.5.1 MoS_2光催化剂在光催化领域的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.5.2 g-C_3N_4光催化剂在光催化领域的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.5.3 BiPO_4光催化剂在光催化领域的研究进展 | 第18-19页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第19-24页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第19-21页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第20页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 2.3 第一性原理的计算流程与软件介绍 | 第21-24页 |
| 2.3.1 第一性原理计算流程 | 第21-22页 |
| 2.3.2 计算软件介绍 | 第22-24页 |
| 第3章 MoS_2/GR异质结界面结合作用及其对带边电位影响的研究 | 第24-33页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 计算方法与物理模型 | 第25-26页 |
| 3.3 结构稳定性 | 第26-28页 |
| 3.4 电子结构 | 第28-32页 |
| 3.4.1 能带结构 | 第28-29页 |
| 3.4.2 电荷密度差分及态密度 | 第29-30页 |
| 3.4.3 能级调制 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 g-C_3N_4/GR异质结π-π堆叠调制及石墨烯对其光催化活性的影响 | 第33-45页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 计算方法和结构模型 | 第34-35页 |
| 4.3 界面结合能 | 第35-38页 |
| 4.4 电子结构 | 第38-40页 |
| 4.5 带边调控 | 第40-42页 |
| 4.6 氧的动态反应过程 | 第42-44页 |
| 4.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 BiPO_4(200)/GR异质结光催化材料的第一性原理计算 | 第45-52页 |
| 5.1 引言 | 第45-46页 |
| 5.2 计算方法与模型选取 | 第46-47页 |
| 5.3 界面作用能 | 第47-48页 |
| 5.4 电子结构 | 第48-51页 |
| 5.4.1 能带结构与电荷密度差分 | 第48-49页 |
| 5.4.2 态密度 | 第49页 |
| 5.4.3 能级调制 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第6章 总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录1：攻读硕士学位期间取得成果 | 第59页 |
