| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 光接收机 | 第8-10页 |
| 1.2.1 光接收机系统 | 第8-9页 |
| 1.2.2 光电探测器的设计要求 | 第9页 |
| 1.2.3 前置放大器的设计指标 | 第9-10页 |
| 1.2.4 光接收机研究意义 | 第10页 |
| 1.3 光接收机发展历史和研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 化合物工艺集成光接收机 | 第10-11页 |
| 1.3.2 CMOS 工艺混合集成的光接收机 | 第11-12页 |
| 1.3.3 Si 基标准 CMOS 工艺的单片集成光接收机 | 第12-13页 |
| 1.4 论文主要内容和章节安排 | 第13-16页 |
| 1.4.1 论文主要内容 | 第13页 |
| 1.4.2 章节安排 | 第13页 |
| 1.4.3 创新点 | 第13-16页 |
| 第二章 光电探测器理论基础 | 第16-30页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 光电探测器的工作原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 载流子产生和复合 | 第16-18页 |
| 2.2.2 光电探测器的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.3 光电探测器的性能指标 | 第19-23页 |
| 2.3.1 光电转换效率 | 第19-20页 |
| 2.3.2 响应速度 | 第20-21页 |
| 2.3.3 暗电流 | 第21页 |
| 2.3.4 光谱响应 | 第21页 |
| 2.3.5 光电二极管的带宽 | 第21-22页 |
| 2.3.6 噪声特性 | 第22-23页 |
| 2.4 光电探测器的结构 | 第23-26页 |
| 2.4.1 PIN 光电探测器 | 第23-25页 |
| 2.4.2 雪崩光电二极管（APD） | 第25页 |
| 2.4.3 与 CMOS 工艺兼容的光电探测器 | 第25-26页 |
| 2.5 与 Si 基 CMOS 工艺兼容的光电探测器速度理论 | 第26-29页 |
| 2.5.1 漂移速度 | 第26-27页 |
| 2.5.2 n 阱区空穴扩散速度 | 第27-28页 |
| 2.5.3 p 阱区电子扩散速度 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 新型深 n 阱高速光电探测器研究 | 第30-44页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 器件结构 | 第30-31页 |
| 3.3 特性仿真与结果分析 | 第31-43页 |
| 3.3.1 光源波长 | 第31-32页 |
| 3.3.2 表面电势对耗尽层宽度影响 | 第32-35页 |
| 3.3.3 电场分布 | 第35-37页 |
| 3.3.4 电流组成 | 第37-39页 |
| 3.3.5 器件带宽 | 第39-41页 |
| 3.3.6 噪声特性 | 第41页 |
| 3.3.7 寄生电容 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 10Gb/s 高速前置放大器设计与仿真 | 第44-58页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 前置放大器拓扑结构 | 第44页 |
| 4.3 前置放大器结构探索 | 第44-51页 |
| 4.3.1 常见放大器类型 | 第45-46页 |
| 4.3.2 共源负反馈 | 第46-47页 |
| 4.3.3 共栅负反馈 | 第47-48页 |
| 4.3.4 RGC 电路 | 第48-50页 |
| 4.3.5 电感峰化 | 第50-51页 |
| 4.4 前置放大器仿真分析 | 第51-57页 |
| 4.4.1 瞬态仿真曲线 | 第51-52页 |
| 4.4.2 频率特性曲线 | 第52-54页 |
| 4.4.3 噪声曲线 | 第54-55页 |
| 4.4.4 眼图 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 硕士期间参加的科研项目 | 第65-66页 |
| 科研项目 | 第65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |