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“梦之线”设备升级及其对拓扑材料的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 引言第11-16页
    1.1 拓扑的出现历史第11-13页
        1.1.1 整数量子霍尔效应第11-12页
        1.1.2 量子自旋霍尔效应第12-13页
    1.2 拓扑材料的常见分类第13-15页
    1.3 本文的主要结构第15-16页
第二章 角分辨光电子能谱原理第16-27页
    2.1 基本原理第16-19页
        2.1.1 光电效应第16-17页
        2.1.2 电子信息的获取过程第17-19页
    2.2 理论描述第19-24页
        2.2.1 一步模型(one-stepmodel)第20页
        2.2.2 三步模型(three-stepmodel)第20-22页
        2.2.3 单粒子谱函数第22-23页
        2.2.4 矩阵元效应第23-24页
    2.3 ARPES常见数据类型第24-27页
        2.3.1 芯能级(CoreLevels)第24-25页
        2.3.2 能量、动量分布曲线(EDCs、MDCs)第25-26页
        2.3.3 能带色散及费米面第26-27页
第三章 上海光源“梦之线”ARPES系统第27-40页
    3.1 “梦之线”系统组成第27-36页
        3.1.1 光源第27-30页
        3.1.2 能量分析器第30-31页
        3.1.3 实验腔体与真空系统第31-34页
        3.1.4 传样系统与样品操纵杆第34-36页
        3.1.5 低温系统第36页
    3.2 系统分辨率第36-38页
        3.2.1 能量分辨率第36-37页
        3.2.2 动量分辨率第37-38页
    3.3 ARPES技术革新及发展趋势第38-40页
第四章 拓扑材料中的基本概念第40-52页
    4.1 以石墨烯为例讲起第40-46页
        4.1.1 基本模型第40-42页
        4.1.2 Dirac与Weyl费米子及其高能描述第42-43页
        4.1.3 石墨烯中的对称性第43-45页
        4.1.4 次近邻跳跃与自旋轨道耦合第45-46页
        4.1.5 边界态与体-边对应第46页
    4.2 拓扑绝缘体的基本性质第46-49页
        4.2.1 Z2拓扑不变量第46-48页
        4.2.2 特殊表面态第48-49页
    4.3 拓扑半金属的基本性质第49-52页
        4.3.1 Dirac半金属第49-50页
        4.3.2 Weyl半金属第50-52页
第五章 基于“梦之线”ARPES系统对拓扑材料的研究第52-64页
    5.1 三重简并费米子――MoP能带研究第52-58页
        5.1.1 理论预言第52-54页
        5.1.2 实验测量第54-58页
    5.2 NodalChain结构――TiB2能带研究第58-64页
        5.2.1 理论计算第59-61页
        5.2.2 实验测量第61-64页
第六章 总结与展望第64-66页
参考文献第66-75页
个人简历第75-76页
发表文章目录第76-77页
致谢第77-78页

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