摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 引言 | 第11-16页 |
1.1 拓扑的出现历史 | 第11-13页 |
1.1.1 整数量子霍尔效应 | 第11-12页 |
1.1.2 量子自旋霍尔效应 | 第12-13页 |
1.2 拓扑材料的常见分类 | 第13-15页 |
1.3 本文的主要结构 | 第15-16页 |
第二章 角分辨光电子能谱原理 | 第16-27页 |
2.1 基本原理 | 第16-19页 |
2.1.1 光电效应 | 第16-17页 |
2.1.2 电子信息的获取过程 | 第17-19页 |
2.2 理论描述 | 第19-24页 |
2.2.1 一步模型(one-stepmodel) | 第20页 |
2.2.2 三步模型(three-stepmodel) | 第20-22页 |
2.2.3 单粒子谱函数 | 第22-23页 |
2.2.4 矩阵元效应 | 第23-24页 |
2.3 ARPES常见数据类型 | 第24-27页 |
2.3.1 芯能级(CoreLevels) | 第24-25页 |
2.3.2 能量、动量分布曲线(EDCs、MDCs) | 第25-26页 |
2.3.3 能带色散及费米面 | 第26-27页 |
第三章 上海光源“梦之线”ARPES系统 | 第27-40页 |
3.1 “梦之线”系统组成 | 第27-36页 |
3.1.1 光源 | 第27-30页 |
3.1.2 能量分析器 | 第30-31页 |
3.1.3 实验腔体与真空系统 | 第31-34页 |
3.1.4 传样系统与样品操纵杆 | 第34-36页 |
3.1.5 低温系统 | 第36页 |
3.2 系统分辨率 | 第36-38页 |
3.2.1 能量分辨率 | 第36-37页 |
3.2.2 动量分辨率 | 第37-38页 |
3.3 ARPES技术革新及发展趋势 | 第38-40页 |
第四章 拓扑材料中的基本概念 | 第40-52页 |
4.1 以石墨烯为例讲起 | 第40-46页 |
4.1.1 基本模型 | 第40-42页 |
4.1.2 Dirac与Weyl费米子及其高能描述 | 第42-43页 |
4.1.3 石墨烯中的对称性 | 第43-45页 |
4.1.4 次近邻跳跃与自旋轨道耦合 | 第45-46页 |
4.1.5 边界态与体-边对应 | 第46页 |
4.2 拓扑绝缘体的基本性质 | 第46-49页 |
4.2.1 Z2拓扑不变量 | 第46-48页 |
4.2.2 特殊表面态 | 第48-49页 |
4.3 拓扑半金属的基本性质 | 第49-52页 |
4.3.1 Dirac半金属 | 第49-50页 |
4.3.2 Weyl半金属 | 第50-52页 |
第五章 基于“梦之线”ARPES系统对拓扑材料的研究 | 第52-64页 |
5.1 三重简并费米子――MoP能带研究 | 第52-58页 |
5.1.1 理论预言 | 第52-54页 |
5.1.2 实验测量 | 第54-58页 |
5.2 NodalChain结构――TiB2能带研究 | 第58-64页 |
5.2.1 理论计算 | 第59-61页 |
5.2.2 实验测量 | 第61-64页 |
第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-75页 |
个人简历 | 第75-76页 |
发表文章目录 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-78页 |