| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第16-46页 |
| 1.1 铜氧化物超导体和铁基超导体 | 第17-26页 |
| 1.1.1 晶体结构和相图 | 第18-21页 |
| 1.1.2 晶体场劈裂和电子结构 | 第21-24页 |
| 1.1.3 配对对称性 | 第24-26页 |
| 1.2 拓扑绝缘体及拓扑半金属 | 第26-43页 |
| 1.2.1 Berry相位与陈数 | 第27-28页 |
| 1.2.2 陈拓扑绝缘体 | 第28-31页 |
| 1.2.3 Z_2拓扑绝缘体 | 第31-38页 |
| 1.2.4 拓扑晶体绝缘体 | 第38-40页 |
| 1.2.5 拓扑半金属 | 第40-43页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第43-46页 |
| 第二章 多轨道体系中超交换相互作用的估算及陈数的计算 | 第46-56页 |
| 2.1 多轨道体系中超交换相互作用的估算 | 第46-51页 |
| 2.2 陈数的计算 | 第51-54页 |
| 2.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 一类新的可能的非常规超导体BaCoSO的配对对称性的研究 | 第56-68页 |
| 3.1 晶体结构和电子结构 | 第56-60页 |
| 3.2 强关联极限下的配对对称性 | 第60-64页 |
| 3.3 弱关联极限下的配对对称性 | 第64-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 一个无自旋模型以及一类具有ZrBeSi结构材料中的拓扑相 | 第68-88页 |
| 4.1 具有时间反演对称性的无自旋模型中的拓扑半金属相 | 第68-77页 |
| 4.2 一系列ZrBeSi结构材料中的拓扑态 | 第77-86页 |
| 4.2.1 晶体结构和电子结构 | 第78-79页 |
| 4.2.2 不同能量尺度之间竞争和不同拓扑相的形成 | 第79-86页 |
| 4.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-104页 |
| 个人简历 | 第104-106页 |
| 发表文章目录 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
