金属与MoS2薄膜接触特性的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 MOS_2材料的结构和性能 | 第8-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.4 主要工作内容及章节安排 | 第13-14页 |
| 2 金属电极与二维材料接触相关理论 | 第14-24页 |
| 2.1 金属—半导体的接触特性 | 第14页 |
| 2.2 金属电极与二维材料接触电子学 | 第14-20页 |
| 2.2.1 接触机理 | 第14-16页 |
| 2.2.2 肖特基接触 | 第16-18页 |
| 2.2.3 欧姆接触 | 第18-20页 |
| 2.3 影响金属与二维材料接触的因素 | 第20-23页 |
| 2.3.1 金属的种类 | 第20-21页 |
| 2.3.2 接触表面的金属形貌 | 第21页 |
| 2.3.3 材料的层数 | 第21-22页 |
| 2.3.4 接触界面 | 第22页 |
| 2.3.5 接触方式 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 MOS_2薄膜样品的制备与分析 | 第24-32页 |
| 3.1 MOS_2薄膜制备工艺 | 第24-26页 |
| 3.1.1 生长机理 | 第24-25页 |
| 3.1.2 工艺流程 | 第25-26页 |
| 3.2 材料表征方法 | 第26页 |
| 3.2.1 表面形貌—OM与AFM | 第26页 |
| 3.2.2 结构与物相—拉曼与光致发光谱 | 第26页 |
| 3.3 MOS_2薄膜样品的测试与分析 | 第26-31页 |
| 3.3.1 生长温度对Mo S2形貌的影响 | 第26-27页 |
| 3.3.2 生长时间对Mo S2形貌的影响 | 第27-28页 |
| 3.3.3 衬源距离对Mo S2形貌的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.4 衬底放置方式对Mo S2形貌的影响 | 第29页 |
| 3.3.5 单层Mo S2与多层Mo S2的制备 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 金属电极制备与接触特性分析 | 第32-52页 |
| 4.1 金属电极制备工艺 | 第32页 |
| 4.2 接触电阻测试方法 | 第32-38页 |
| 4.2.1 线性传输线模型 | 第33-34页 |
| 4.2.2 圆点传输线模型 | 第34-35页 |
| 4.2.3 圆环传输线模型 | 第35-37页 |
| 4.2.4 欧姆接触测试模块版图 | 第37-38页 |
| 4.3 单层MOS_2薄膜接触特性测试与分析 | 第38-44页 |
| 4.3.1 金属电极对接触特性的影响 | 第38-40页 |
| 4.3.2 退火对接触特性的影响 | 第40-43页 |
| 4.3.3 温度对接触特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.4 多层MOS_2薄膜接触特性测试与分析 | 第44-50页 |
| 4.4.1 金属电极对接触特性的影响 | 第44-47页 |
| 4.4.2 退火对接触特性的影响 | 第47-49页 |
| 4.4.3 温度对接触特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 总结与展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 在校期间发表的论文及获奖情况 | 第60页 |
