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光纤通信中InGaAs/InP光探测器非线性性能与测试的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-17页
    1.1 研究背景及意义第13-14页
    1.2 论文结构安排第14-16页
    参考文献第16-17页
第二章 光探测器的非线性特性研究综述第17-31页
    2.1 InGaAs/InP光探测器的研究进展第17-23页
        2.1.1 PIN光探测器第17-19页
        2.1.2 部分耗尽吸收层(PDA)光探测器第19-20页
        2.1.3 单行载流子(UTC)光探测器第20-23页
    2.2 光探测器的非线性主要成因及研究进展第23-27页
        2.2.1 光探测器非线性主要成因第23-24页
        2.2.2 光探测器非线性研究进展第24-27页
    2.3 本章小结第27-28页
    参考文献第28-31页
第三章 PIN光探测器非线性特性研究第31-51页
    3.1 PIN光探测器仿真模型的建立第31-39页
        3.1.1 三大基本方程第32-33页
        3.1.2 数值解方法第33页
        3.1.3 物理模型第33-37页
        3.1.4 所用材料参数第37-39页
    3.2 PIN光探测器的工作原理和性能参数分析第39-43页
        3.2.1 PIN光探测器基本原理第39-40页
        3.2.2 响应度、量子效率和带宽第40-42页
        3.2.3 1dB压缩电流和三阶交调点(OIP3)第42-43页
    3.3 光探测器饱和失真与交调失真非线性现象第43-48页
        3.3.1 光生电流饱和失真第43-45页
        3.3.2 交调与谐波失真第45-48页
    3.4 本章小结第48-49页
    参考文献第49-51页
第四章 PIN光探测器饱和特性研究第51-60页
    4.1 直流饱和特性第51-53页
        4.1.1 直流饱和1dB压缩电流和1dB压缩点第51页
        4.1.2 PIN光探测器吸收区厚度对直流饱和特性的影响第51-53页
    4.2 交流饱和特性第53-57页
        4.2.1 交流饱和1dB压缩电流和1dB压缩点第53-54页
        4.2.2 频域分析法第54-55页
        4.2.3 时域分析法第55-56页
        4.2.4 时域法分析脉冲激励饱和第56-57页
    4.3 直流饱和与交流饱和特性关联性研究第57-58页
        4.3.1 直流饱和1dB压缩点计算第57页
        4.3.2 交流饱和1dB压缩点计算第57-58页
        4.3.3 直流与交流饱和1dB压缩点间关系第58页
    4.4 本章小结第58-59页
    参考文献第59-60页
第五章 PIN光探测器性能测试的研究第60-72页
    5.1 光探测器3dB带宽扫频法测试系统第60-62页
        5.1.1 3dB带宽扫频法测试系统第60-61页
        5.1.2 实验结果第61-62页
    5.2 光探测器饱和电流频域测试系统第62-65页
        5.2.1 饱和1dB压缩电流频域小信号测试系统第62-64页
        5.2.2 1dB饱和电流频域大信号测试系统第64-65页
    5.3 光探测器饱和特性时域分析测试系统第65-67页
    5.4 实验结果及分析第67-69页
    5.5 本章小结第69-70页
    参考文献第70-72页
致谢第72-75页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第75页

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