摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-17页 |
1.1 研究背景及意义 | 第13-14页 |
1.2 论文结构安排 | 第14-16页 |
参考文献 | 第16-17页 |
第二章 光探测器的非线性特性研究综述 | 第17-31页 |
2.1 InGaAs/InP光探测器的研究进展 | 第17-23页 |
2.1.1 PIN光探测器 | 第17-19页 |
2.1.2 部分耗尽吸收层(PDA)光探测器 | 第19-20页 |
2.1.3 单行载流子(UTC)光探测器 | 第20-23页 |
2.2 光探测器的非线性主要成因及研究进展 | 第23-27页 |
2.2.1 光探测器非线性主要成因 | 第23-24页 |
2.2.2 光探测器非线性研究进展 | 第24-27页 |
2.3 本章小结 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-31页 |
第三章 PIN光探测器非线性特性研究 | 第31-51页 |
3.1 PIN光探测器仿真模型的建立 | 第31-39页 |
3.1.1 三大基本方程 | 第32-33页 |
3.1.2 数值解方法 | 第33页 |
3.1.3 物理模型 | 第33-37页 |
3.1.4 所用材料参数 | 第37-39页 |
3.2 PIN光探测器的工作原理和性能参数分析 | 第39-43页 |
3.2.1 PIN光探测器基本原理 | 第39-40页 |
3.2.2 响应度、量子效率和带宽 | 第40-42页 |
3.2.3 1dB压缩电流和三阶交调点(OIP3) | 第42-43页 |
3.3 光探测器饱和失真与交调失真非线性现象 | 第43-48页 |
3.3.1 光生电流饱和失真 | 第43-45页 |
3.3.2 交调与谐波失真 | 第45-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-51页 |
第四章 PIN光探测器饱和特性研究 | 第51-60页 |
4.1 直流饱和特性 | 第51-53页 |
4.1.1 直流饱和1dB压缩电流和1dB压缩点 | 第51页 |
4.1.2 PIN光探测器吸收区厚度对直流饱和特性的影响 | 第51-53页 |
4.2 交流饱和特性 | 第53-57页 |
4.2.1 交流饱和1dB压缩电流和1dB压缩点 | 第53-54页 |
4.2.2 频域分析法 | 第54-55页 |
4.2.3 时域分析法 | 第55-56页 |
4.2.4 时域法分析脉冲激励饱和 | 第56-57页 |
4.3 直流饱和与交流饱和特性关联性研究 | 第57-58页 |
4.3.1 直流饱和1dB压缩点计算 | 第57页 |
4.3.2 交流饱和1dB压缩点计算 | 第57-58页 |
4.3.3 直流与交流饱和1dB压缩点间关系 | 第58页 |
4.4 本章小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-60页 |
第五章 PIN光探测器性能测试的研究 | 第60-72页 |
5.1 光探测器3dB带宽扫频法测试系统 | 第60-62页 |
5.1.1 3dB带宽扫频法测试系统 | 第60-61页 |
5.1.2 实验结果 | 第61-62页 |
5.2 光探测器饱和电流频域测试系统 | 第62-65页 |
5.2.1 饱和1dB压缩电流频域小信号测试系统 | 第62-64页 |
5.2.2 1dB饱和电流频域大信号测试系统 | 第64-65页 |
5.3 光探测器饱和特性时域分析测试系统 | 第65-67页 |
5.4 实验结果及分析 | 第67-69页 |
5.5 本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
致谢 | 第72-75页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第75页 |