摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
·研究背景及意义 | 第8-11页 |
·模拟CMOS芯片研究的意义 | 第8-9页 |
·Rail-to-Rail运放技术的起源及特点 | 第9-10页 |
·Rail-to-Rail运放的国内外研究现状 | 第10-11页 |
·运放的设计方法 | 第11-12页 |
·本文的主要工作 | 第12-14页 |
第二章 CMOS RAIL-TO-RAIL运算放大器的分析与设计 | 第14-34页 |
·运算放大器的分析与设计 | 第14-24页 |
·输入级设计 | 第14-19页 |
·传统的运放输入级 | 第14-15页 |
·Rail-to-Rail输入级 | 第15-16页 |
·基于前馈补偿的恒跨导Rail-to-Rail输入级 | 第16-19页 |
·输入级的偏置电路设计 | 第19-20页 |
·输出级设计 | 第20-23页 |
·甲乙类输出级 | 第21页 |
·前馈甲乙类输出级 | 第21-22页 |
·浮动电流源控制的前馈甲乙类输出级 | 第22-23页 |
·输出级的密勒补偿设计 | 第23-24页 |
·带隙基准源的分析与设计 | 第24-31页 |
·传统带隙基准源电路的基本原理 | 第25-27页 |
·电流模式的曲率补偿带隙基准源电路设计 | 第27-31页 |
·带隙基准源电路设计 | 第27-29页 |
·带隙基准源运放设计 | 第29-30页 |
·带隙基准源启动电路设计 | 第30-31页 |
·本章小结 | 第31-34页 |
第三章 运算放大器的仿真分析 | 第34-44页 |
·直流特性仿真 | 第34-38页 |
·输入共模电压范围的仿真 | 第35页 |
·输出动态范围的仿真 | 第35-36页 |
·直流传输特性的仿真 | 第36页 |
·输入失调电压的仿真 | 第36-37页 |
·系统失调电压温度系数的仿真 | 第37页 |
·输入级正向跨导的仿真 | 第37页 |
·运放静态功耗的仿真 | 第37-38页 |
·瞬态特性仿真 | 第38-39页 |
·转换速率的仿真 | 第38-39页 |
·建立时间的仿真 | 第39页 |
·交流特性仿真 | 第39-42页 |
·开环增益、单位带宽积和相位裕度的仿真 | 第39-40页 |
·共模抑制比的仿真 | 第40-41页 |
·电源电压抑制比的仿真 | 第41页 |
·输出阻抗的仿真 | 第41-42页 |
·输入噪声的仿真 | 第42页 |
·本章小结 | 第42-44页 |
第四章 版图设计基础 | 第44-52页 |
·版图设计工具与工艺的介绍 | 第44页 |
·版图设计基本规则 | 第44-48页 |
·匹配性设计 | 第44-47页 |
·匹配电阻设计 | 第44-45页 |
·匹配电容设计 | 第45-46页 |
·匹配MOS管设计 | 第46-47页 |
·耦合效应 | 第47页 |
·寄生效应和闩锁效应 | 第47-48页 |
·集成工艺元件 | 第48-50页 |
·电阻 | 第48-49页 |
·电容 | 第49-50页 |
·衬底PNP晶体管 | 第50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第五章 全芯片ESD保护设计 | 第52-67页 |
·ESD介绍 | 第52-56页 |
·ESD放电模型 | 第52-54页 |
·ESD测试方法 | 第54-55页 |
·ESD保护器件简介 | 第55-56页 |
·基于STFOD的ESD侦测泄放电路 | 第56-60页 |
·FOD工作机理 | 第56页 |
·侦测泄放电路的设计分析 | 第56-58页 |
·FOD器件的设计与选取 | 第58-60页 |
·基于SCR技术的ESD保护电路 | 第60-64页 |
·SCR器件工作机理介绍 | 第60-61页 |
·互补式LVTSCR在输入级的应用 | 第61-62页 |
·HIPTSCR和HINTSCR在输出级的应用 | 第62-64页 |
·全芯片ESD保护结构 | 第64页 |
·版图验证 | 第64-66页 |
·设计规则检查DRC | 第65页 |
·版图与原理图一致性检查LVS | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
结论 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |