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基于CSMC0.6μm CMOS Rail-to-Rail运算放大器的芯片设计研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-14页
   ·研究背景及意义第8-11页
     ·模拟CMOS芯片研究的意义第8-9页
     ·Rail-to-Rail运放技术的起源及特点第9-10页
     ·Rail-to-Rail运放的国内外研究现状第10-11页
   ·运放的设计方法第11-12页
   ·本文的主要工作第12-14页
第二章 CMOS RAIL-TO-RAIL运算放大器的分析与设计第14-34页
   ·运算放大器的分析与设计第14-24页
     ·输入级设计第14-19页
       ·传统的运放输入级第14-15页
       ·Rail-to-Rail输入级第15-16页
       ·基于前馈补偿的恒跨导Rail-to-Rail输入级第16-19页
     ·输入级的偏置电路设计第19-20页
     ·输出级设计第20-23页
       ·甲乙类输出级第21页
       ·前馈甲乙类输出级第21-22页
       ·浮动电流源控制的前馈甲乙类输出级第22-23页
     ·输出级的密勒补偿设计第23-24页
   ·带隙基准源的分析与设计第24-31页
     ·传统带隙基准源电路的基本原理第25-27页
     ·电流模式的曲率补偿带隙基准源电路设计第27-31页
       ·带隙基准源电路设计第27-29页
       ·带隙基准源运放设计第29-30页
       ·带隙基准源启动电路设计第30-31页
   ·本章小结第31-34页
第三章 运算放大器的仿真分析第34-44页
   ·直流特性仿真第34-38页
     ·输入共模电压范围的仿真第35页
     ·输出动态范围的仿真第35-36页
     ·直流传输特性的仿真第36页
     ·输入失调电压的仿真第36-37页
     ·系统失调电压温度系数的仿真第37页
     ·输入级正向跨导的仿真第37页
     ·运放静态功耗的仿真第37-38页
   ·瞬态特性仿真第38-39页
     ·转换速率的仿真第38-39页
     ·建立时间的仿真第39页
   ·交流特性仿真第39-42页
     ·开环增益、单位带宽积和相位裕度的仿真第39-40页
     ·共模抑制比的仿真第40-41页
     ·电源电压抑制比的仿真第41页
     ·输出阻抗的仿真第41-42页
     ·输入噪声的仿真第42页
   ·本章小结第42-44页
第四章 版图设计基础第44-52页
   ·版图设计工具与工艺的介绍第44页
   ·版图设计基本规则第44-48页
     ·匹配性设计第44-47页
       ·匹配电阻设计第44-45页
       ·匹配电容设计第45-46页
       ·匹配MOS管设计第46-47页
     ·耦合效应第47页
     ·寄生效应和闩锁效应第47-48页
   ·集成工艺元件第48-50页
     ·电阻第48-49页
     ·电容第49-50页
     ·衬底PNP晶体管第50页
   ·本章小结第50-52页
第五章 全芯片ESD保护设计第52-67页
   ·ESD介绍第52-56页
     ·ESD放电模型第52-54页
     ·ESD测试方法第54-55页
     ·ESD保护器件简介第55-56页
   ·基于STFOD的ESD侦测泄放电路第56-60页
     ·FOD工作机理第56页
     ·侦测泄放电路的设计分析第56-58页
     ·FOD器件的设计与选取第58-60页
   ·基于SCR技术的ESD保护电路第60-64页
     ·SCR器件工作机理介绍第60-61页
     ·互补式LVTSCR在输入级的应用第61-62页
     ·HIPTSCR和HINTSCR在输出级的应用第62-64页
   ·全芯片ESD保护结构第64页
   ·版图验证第64-66页
     ·设计规则检查DRC第65页
     ·版图与原理图一致性检查LVS第65-66页
   ·本章小结第66-67页
结论第67-68页
参考文献第68-70页
攻读硕士学位期间取得的学术成果第70-71页
致谢第71-72页

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