| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 三阶非线性光学及物理机制 | 第17-20页 |
| 1.2.1 三阶非线性光学特性 | 第17-18页 |
| 1.2.2 三阶非线性光学应用 | 第18-20页 |
| 1.3 类石墨烯纳米材料及制备 | 第20-24页 |
| 1.3.1 过渡金属硫化物 | 第20-21页 |
| 1.3.2 拓扑绝缘体 | 第21-22页 |
| 1.3.3 类石墨烯纳米材料制备方法 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第24-25页 |
| 第二章 过渡金属硫化物的制备及其饱和吸收特性和应用研究 | 第25-56页 |
| 2.1 二维MoS_2纳米片的超宽带饱和吸收特性及应用研究 | 第25-36页 |
| 2.1.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.1.2 样品制备 | 第26-27页 |
| 2.1.3 结构及形貌表征 | 第27-29页 |
| 2.1.4 Z-扫描测试方法 | 第29-30页 |
| 2.1.5 非线性光学特性探索 | 第30-33页 |
| 2.1.6 激光器中应用 | 第33-36页 |
| 2.2 二维Se-MoS_2纳米片的饱和吸收特性及应用研究 | 第36-45页 |
| 2.2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2.2 样品制备与表征 | 第37-41页 |
| 2.2.3 饱和吸收特性增强的确认 | 第41-43页 |
| 2.2.4 被动调Q脉冲输出性能增强的确认 | 第43-45页 |
| 2.3 三维MoS_2纳米花的饱和吸收特性及应用研究 | 第45-54页 |
| 2.3.1 引言 | 第45-46页 |
| 2.3.2 样品制备 | 第46-47页 |
| 2.3.3 结构及形貌表征 | 第47-49页 |
| 2.3.4 非线性光学特性探索 | 第49-51页 |
| 2.3.5 被动调Q应用 | 第51-54页 |
| 2.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 拓扑绝缘体的制备及饱和吸收特性和应用研究 | 第56-77页 |
| 3.1 二维Bi_2Te_3六边形纳米片的饱和吸收特性及应用 | 第56-68页 |
| 3.1.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.1.2 样品合成 | 第57-58页 |
| 3.1.3 表面活性剂PVP对Bi_2Te_3形貌和尺寸的影响 | 第58-64页 |
| 3.1.4 饱和吸收特性 | 第64页 |
| 3.1.5 被动调Q应用 | 第64-68页 |
| 3.2 二维Bi_2SeTe_2纳米片的超快饱和吸收特性 | 第68-75页 |
| 3.2.1 引言 | 第68-69页 |
| 3.2.2 样品制备与表征 | 第69-71页 |
| 3.2.3 超快饱和吸收特性及机理探讨 | 第71-75页 |
| 3.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 光限幅材料的制备及反饱和吸收特性研究 | 第77-99页 |
| 4.1 超薄MoS_2纳米片的制备及反饱和吸收特性 | 第77-84页 |
| 4.1.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.1.2 样品制备 | 第78页 |
| 4.1.3 结构与形貌表征 | 第78-81页 |
| 4.1.4 反饱和吸收特性 | 第81-83页 |
| 4.1.5 非线性折射 | 第83-84页 |
| 4.2 WS_2/PMMA固体薄膜的反饱和吸收特性 | 第84-90页 |
| 4.2.1 引言 | 第84-85页 |
| 4.2.2 样品制备 | 第85页 |
| 4.2.3 结构与形貌表征 | 第85-88页 |
| 4.2.4 反饱和吸收特性及非线性折射 | 第88-90页 |
| 4.3 TiO_2/MoS_2复合材料的反饱和吸收特性 | 第90-97页 |
| 4.3.1 引言 | 第90-91页 |
| 4.3.2 样品合成 | 第91-92页 |
| 4.3.3 结构与形貌表征 | 第92-95页 |
| 4.3.4 反饱和吸收特性及增强机理探讨 | 第95-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 结论、创新点与展望 | 第99-102页 |
| 5.1 结论 | 第99-100页 |
| 5.2 创新点 | 第100-101页 |
| 5.3 展望 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 附件 | 第126页 |
