| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 本课题的研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 提高LED芯片出光效率的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 谐振腔技术 | 第10页 |
| 1.2.2 表面粗化技术 | 第10-12页 |
| 1.2.3 光子晶体技术 | 第12-13页 |
| 1.3 具有光子晶体氮化物LED研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 光子晶体的原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光子晶体LED研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 光子晶体制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4 本课题的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 1.4.1 存在问题及课题提出 | 第16页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 具有不同表面SiO_2光子晶体结构的LED芯片制备 | 第18-34页 |
| 2.1 FDTD方法概述 | 第18-22页 |
| 2.1.1 FDTD Solutions软件介绍 | 第18-19页 |
| 2.1.2 FDTD原理分析 | 第19-22页 |
| 2.2 LED芯片仿真研究 | 第22-24页 |
| 2.2.1 仿真模型建立 | 第22-23页 |
| 2.2.2 光子晶体禁带分析 | 第23-24页 |
| 2.2.3 出光效率分析 | 第24页 |
| 2.3 表面SiO_2光子晶体制备关键工艺 | 第24-29页 |
| 2.3.1 台面刻蚀 | 第25页 |
| 2.3.2 纳米压印 | 第25-26页 |
| 2.3.3 ICP干法刻蚀 | 第26-28页 |
| 2.3.4 SiO_2光子晶体AFM图 | 第28-29页 |
| 2.4 表面光子晶体LED芯片制备工艺 | 第29-31页 |
| 2.5 光电性能分析 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 表面SiO_2光子晶体结构对不同波长LED芯片出光效率的影响 | 第34-45页 |
| 3.1 紫外、蓝光和绿光正装LED芯片光电性能表征 | 第34-40页 |
| 3.1.1 发光光形分布 | 第34-35页 |
| 3.1.2 光电性能测试 | 第35-40页 |
| 3.2 紫外、蓝光和绿光正装LED芯片的光电性能对比分析 | 第40-43页 |
| 3.2.1 光电性能对比分析 | 第40-41页 |
| 3.2.2 出光效率对比分析 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 具有表面光子晶体结构的倒装薄膜LED芯片仿真 | 第45-56页 |
| 4.1 仿真模型建立 | 第45-46页 |
| 4.2 谐振腔结构优化 | 第46-48页 |
| 4.3 表面光子晶体结构优化 | 第48-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 总结与展望 | 第56-58页 |
| 课题总结 | 第56页 |
| 工作展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附表 | 第66页 |
